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申请/专利权人：华硼中子科技(杭州)有限公司
摘要：本发明提供一种中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法、终端及介质，其中，方法包括：利用物理场拟合方法，对包含有抗氢脆层的靶体分别执行基于沉积分布上的氢扩散性能拟合和基于能量分布的热性能拟合，以对应获取与当前厚度对应的氢原子浓度分布特征和对应的温度分布特征；检测所述氢原子浓度分布特征是否满足氢原子浓度场预设条件，和检测所述温度分布特征是否满足温度场预设条件；于两者均满足时，则将抗氢脆层的当前厚度作为抗氢脆层目标厚度；本发明可以快速、便捷地获取与靶体其他层的物理场性能相适配的抗氢脆层的目标厚度，于提升靶体的抗氢性能的同时，有效地提高了靶体的整体性能。
主权项：1.一种中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法，其特征在于，靶体包括作用层、抗氢脆层和靶基体；所述方法包括：确定抗氢脆层的当前厚度，所述当前厚度大于或等于抗氢脆层的基准厚度；利用物理场拟合方法，对靶体分别执行基于沉积分布上的氢扩散性能拟合和基于能量分布的热性能拟合，以对应获取与当前厚度对应的氢原子浓度分布特征和对应的温度分布特征；检测所述氢原子浓度分布特征是否满足氢原子浓度场预设条件，和检测所述温度分布特征是否满足温度场预设条件；于两者均满足时，则将当前厚度作为抗氢脆层目标厚度；其中，所述基准厚度为根据作用层的材料和厚度，结合靶体的入射质子束流能量大小，和抗氢脆层的当前材料，确定与当前材料所对应的抗氢脆层的基准厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华硼中子科技(杭州)有限公司 中子源靶体的抗氢脆层目标厚度获取方法、终端及介质
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