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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种芯片基准电压温漂系数的晶圆级修调方法，包括：按预设方式在晶圆上选取若干测试晶粒，将选取的若干测试晶粒的码值烧写为各自零温漂系数对应的码值M，该码值可由芯片所选工艺的参数特性估算得来；对每个测试晶粒进行温度测试，得到每个测试晶粒的温度曲线，并计算每个测试晶粒的温度曲线斜率KM；统计每个测试晶粒的相邻晶粒各自零码斜率K0的平均值根据所述平均值和每个测试晶粒的温度曲线斜率KM，计算每个测试晶粒的单位码值变化影响的温度曲线斜率变化量KSTEP；对所有测试晶粒的温度曲线斜率变化量KSTEP取平均得到平均值根据所述平均值计算每个测试晶粒和未选取到的晶粒的烧写码值。本发明能够提高晶圆级基准电压的修调效率。
主权项：1.一种芯片基准电压温漂系数的晶圆级修调方法，其特征在于，包括：步骤1：以晶圆的圆心为坐标原点，选取若干关于晶圆的圆心中心对称的测试晶粒，将选取的若干测试晶粒的码值烧写为各自零温漂系数对应的码值M；步骤2：对每个测试晶粒进行温度测试，得到每个测试晶粒的温度曲线，并计算每个测试晶粒的温度曲线斜率KM；步骤3：统计每个测试晶粒的相邻晶粒各自零码斜率K0的平均值根据所述平均值K0和每个测试晶粒的温度曲线斜率KM，计算每个测试晶粒的单位码值变化影响的温度曲线斜率变化量KSTEP；步骤4：对所有测试晶粒的温度曲线斜率变化量KSTEP取平均得到平均值所述晶圆上每一个晶粒的温度曲线斜率变化量均用所述平均值来表示；步骤5：根据所述平均值计算每个测试晶粒和未选取到的晶粒的烧写码值，其中，每个测试晶粒的烧写码值的计算公式为：未选取到的晶粒的烧写码值的计算公式为：
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种芯片基准电压温漂系数的晶圆级修调方法
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