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申请/专利权人：合肥国家实验室;中国科学技术大学
摘要：本发明提供了一种倒装焊芯片中焊点的保护方法及超导量子芯片，属于芯片制备封装领域。倒装焊芯片中焊点的保护方法包括：提供第一芯片和第二芯片，其中第一芯片和第二芯片相对应的表面分别沉积有焊点下金属层；在第一芯片上制备二氧化硅介质层和跨线桥结构；在形成有跨线桥结构的第一芯片的焊点下金属层和第二芯片的焊点下金属层上分别形成铟焊点；在第一芯片的铟焊点上形成金属保护层；对形成有金属保护层的第一芯片进行氟化氢处理，以去除二氧化硅介质层；将氟化氢处理后的第一芯片和形成有铟焊点的第二芯片上下图形对准贴合，进行倒装焊接，得到倒装焊芯片。
主权项：1.一种超导量子倒装焊芯片中焊点的保护方法，其特征在于，包括：提供第一芯片和第二芯片，其中所述第一芯片和所述第二芯片相对应的表面分别沉积有焊点下金属层；在所述第一芯片上制备二氧化硅介质层和跨线桥结构；在形成有跨线桥结构的所述第一芯片的焊点下金属层和所述第二芯片的焊点下金属层上分别形成铟焊点；在所述第一芯片的铟焊点上形成金属保护层；对形成有金属保护层的所述第一芯片进行氟化氢处理，以去除所述二氧化硅介质层；将氟化氢处理后的所述第一芯片和形成有铟焊点的所述第二芯片上下图形对准贴合，进行倒装焊接，得到超导量子倒装焊芯片；其中，所述金属保护层的材质包括TiAu、PtAu、TiN中任意一种，所述金属保护层的厚度为30-300nm。
全文数据：
权利要求：
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