龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种互连结构及其制作方法、半导体器件，所述制作方法包括：提供基底，基底表面形成有第一层间介质层，第一层间介质层内具有第一金属层，形成第二层间介质层，形成第二凹槽在第二介质层内，至暴露出部分第一金属层，形成第二阻挡层在第二凹槽的侧壁及底部，填充第二金属层在第二凹槽及通孔内。第二阻挡层覆盖所述第二凹槽的侧壁及底部，且所述第二阻挡层的材质包含钽化钌，从而使得后续形成的第二金属层的浸润性更好。并且，第一金属层内形成有凹陷，使得通孔的底部呈弧形，增大了通孔电流的横截面积，从而减小通孔的接触电阻，增加抗电子迁移能力。
主权项：1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层内具有第一金属层；形成第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层和所述第一金属层；形成第二凹槽在所述第二层间介质层内，所述第二凹槽暴露出部分所述第一金属层；形成第二阻挡层在所述第二凹槽的侧壁及底部，所述第二阻挡层的材质包含钽化钌；以及，填充第二金属层在所述第二凹槽内；其中，形成所述第二凹槽的步骤包括：形成多个第三凹槽在所述第二层间介质层内；形成通孔在所述第三凹槽底部的所述第二层间介质层内，至暴露出部分所述第一金属层，且所述通孔的宽度小于所述第三凹槽的宽度；所述第三凹槽与所述通孔共同构成所述第二凹槽；在形成所述通孔之后，形成所述第二阻挡层之前，还包括：形成保护层在所述通孔以及所述第三凹槽的侧壁及底部，刻蚀所述通孔底部的所述保护层与所述第一金属层，以在所述第一金属层内形成凹陷，使所述通孔的底部呈弧形，所述保护层的材质包含含氮的钽化钌。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 互连结构及其制作方法、半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号