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申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

摘要：本发明提供一种双极型集成电路及其制造方法和驱动器，具体涉及集成电路制造技术领域。所述制造方法包括：在双极型集成电路的制造过程中循环执行以下步骤：基于当前的工艺参数制造双极型集成电路，所述工艺参数包括第一温度和第一时间，所述第一温度用于控制对经过所述基区预扩散后的硅片进行基区再扩散时的温度，所述第一时间用于控制对硅片进行发射区预扩散时磷预扩散的时间；对所述双极型集成电路进行VOH测试和或IOZ测试；当所述双极型集成电路的VOH测试结果或IOZ测试结果不满足预设要求时，按照预设规则对所述工艺参数中的第一温度和或第一时间进行修改，得到新的所述工艺参数，将新的所述工艺参数作为当前的所述工艺参数。

主权项：1.一种双极型集成电路的制造方法，其特征在于，包括：在双极型集成电路的制造过程中循环执行以下步骤：基于当前的工艺参数制造双极型集成电路，所述工艺参数包括第一温度和第一时间，其中，制造双极型集成电路的工艺包括对硅片进行基区预扩散、对经过所述基区预扩散后的硅片进行基区再扩散、对硅片进行发射区预扩散以及对经过发射区预扩散的硅片进行发射区再扩散；所述第一温度用于控制对经过所述基区预扩散后的硅片进行基区再扩散时的温度，所述对硅片进行发射区预扩散的工艺包括通过小氮进行磷预扩散；所述第一时间用于表征对硅片进行发射区预扩散时磷预扩散的时长；对所述双极型集成电路进行VOH测试和或IOZ测试；所述VOH测试为高电平输出电压测试，所述IOZ测试为高阻电流测试；当所述双极型集成电路的VOH测试结果或IOZ测试结果不满足预设要求时，按照预设规则对所述工艺参数中的第一温度和或第一时间进行修改，得到新的所述工艺参数，将新的所述工艺参数作为当前的所述工艺参数；当所述双极型集成电路的VOH测试结果或IOZ测试结果不满足预设要求时包括：所述双极型集成电路的VOH测试结果小于所述VOH测试高电平输出电压的第一阈值；或，所述双极型集成电路的IOZ测试结果大于所述IOZ测试高阻电流的第二阈值；所述预设规则包括：第一参数与第二参数的第一正相关函数关系；第三参数与第四参数的第二正相关函数关系；所述第一参数用于指示VOH测试结果与所述第一阈值的差值的绝对值；所述第三参数用于指示IOZ测试结果与所述第二阈值的差值的绝对值；所述第二参数和第四参数分别用于指示调整步长；所述按照预设规则对所述工艺参数中的第一温度和第一时间进行修改，包括：基于所述双极型集成电路的VOH测试结果确定第一差值，基于所述双极型集成电路的IOZ测试结果确定第二差值；基于所述第一差值和所述第一正相关函数关系确定第一调整步长；基于所述第二差值和所述第二正相关函数关系确定第二调整步长；基于所述第一调整步长和所述第二调整步长确定目标调整步长；基于当前的所述工艺参数以及所述目标调整步长，确定新的所述工艺参数。

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