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申请/专利权人：潮州三环(集团)股份有限公司;德阳三环科技有限公司

摘要：本申请公开了一种复合电子元件及其制备方法与应用，属于电子元器件领域。本申请所述复合电子元件中的第一组件中包括铁电材料，第二组件中包括复相陶瓷介电材料，所述复相陶瓷介电材料中顺电材料的加入可减少复合电子元件的介电常数衰减，增强复合电子元件的直流偏压性能；且本申请所述复合电子元件由于采用铁电材料与顺电材料相互配合，能够满足不同的容量需求，且产生的声学噪声较低，直流偏压效果较优异。

主权项：1.一种复合电子元件，其特征在于，所述复合电子元件包括自上而下依次叠放的第一组件和第二组件；所述第一组件包括第一介电材料、第一内部电极和第一外部电极；所述第二组件包括第二介电材料和第二外部电极；所述第一介电材料包括铁电材料，所述第二介电材料包括复相陶瓷介电材料，所述复相陶瓷介电材料包括铁电材料和顺电材料；所述第二介电材料中，铁电材料选自BaTiO3、BaTi1-XZrXO3和Ba1-XCaXZr1-YTiYO3中的至少一种，其中，0.9≥X0，1≥Y≥0.1；顺电材料选自CaTiO3、CaZrO3、SrZrO3和ZrO2中的至少一种；所述铁电材料和顺电材料的摩尔比为铁电材料：顺电材料＝1:0.2-10；所述第一介电材料中，铁电材料选自BaTiO3、BaTi1-XZrXO3和Ba1-XCaXZr1-YTiYO3中的至少一种，其中，0.9≥X0，1≥Y≥0.1；所述第一、第二介电材料均还包括下述元素：元素R1、元素M1、元素M2；所述元素R1选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Y中的至少一种；所述元素M1选自Mg、Mn、V、Fe、Co、Cr、Ni和Mo中的至少一种；所述元素M2选自Si、B和Li中的至少一种；所述第一介电材料包括下述摩尔百分比的元素：元素R10.05％-1％，元素M10.1％-10％，元素M20.1％-10％；所述第二介电材料包括下述摩尔百分比的元素：元素R10.1％-2％，元素M10.1％-10％，元素M20.1％-10％；且所述第一介电材料与第二介电材料中元素R1的摩尔比为1:0.1-2；所述第一介电材料中铁电材料的平均粒径为0.3-0.8μm；所述第二介电材料中复相陶瓷介电材料的平均粒径为0.5-2.5μm；所述复合电子元件的制备方法包括如下步骤：S1、将第一介电材料的原料混合后制成浆料A，将第二介电材料的原料混合后制成浆料B，将浆料A和浆料B分别流延成陶瓷薄膜A和陶瓷薄膜B，并在陶瓷薄膜A和陶瓷薄膜B上分别印刷内部电极浆料，或仅在陶瓷薄膜A上印刷内部电极浆料，干燥后即得第一介电材料印刷片和第二介电材料印刷片；S2、将步骤S1得到的第一介电材料印刷片和第二介电材料印刷片分别经叠层、压制、切割形成第一层叠体和第二层叠体；S3、将步骤S2得到的第一层叠体和第二层叠体分别经排胶、烧结、形成外电极、烧端，烧端后分别得到第一组件和第二组件，将第一组件和第二组件粘合后即得到复合电子元件；或将粘合后的第一组件和第二组件与支架焊接，得到复合电子元件；所述复合电子元件的绝缘电阻高于1GΩ。

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