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申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明属于半导体介电材料技术领域，具体涉及一类铋基氧硫族一维材料的可控合成制备方法。该方法具体为：先称取一定质量的Bi2Te3粉末作为前驱体置于高温区，并采用热蒸镀金硅片或滴涂金硅片作为基底置于低温区，抽取真空后将两个温区的温度按一定速率升高到目标温度，然后通入载气进行一维材料的生长，生长完毕后停止通入载气，自然冷却至室温，即制备得到Bi2O2TeBi2TeO5一维材料。本发明方法具有操作简便、安全性高、可控性强等优点，填补了Bi2O2TeBi2TeO5一维材料零合成的空白。
主权项：1.Bi2TeO5一维材料的可控合成制备方法，其特征在于，以热蒸镀金硅片或滴涂金硅片作为基底，Bi2Te3粉末作为前驱体，将热蒸镀金硅片或滴涂金硅片放置在位于双温区管式炉下游的生长区加热中心，并将Bi2Te3粉末放置在位于双温区管式炉上游的原料区加热中心，先将管式炉内的压强降低至0Pa，再使原料区加热中心和生长区加热中心分别同时加热至目标温度，原料区加热中心和生长区加热中心的目标温度分别为570-590℃和520-540℃，然后通入高纯氩气和高纯氧气的混合气体，并继续使管内压强一直维持在0Pa，保持4-6h后自然冷却至室温；当滴涂金硅片上的金颗粒粒径为5nm或50nm，滴涂金硅片距离Bi2Te3粉末的距离为10cm，同时通入高纯氩气和高纯氧气的混合气体时，制备得到Bi2TeO5一维材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一类铋基氧硫族一维材料的可控合成制备方法
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