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III族元素氮化物半导体基板及贴合基板 

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申请/专利权人:日本碍子株式会社

摘要:本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板,其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板,在表面产生创伤的情况得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板,其中,当将自该第一面的表面的外周起算为1mm的范围设为外周部,将该第一面的表面的除该外周部以外的部分设为内周部时,通过阴极发光观察,在该外周部观察到变质层,在该内周部没有观察到变质层。

主权项:1.一种III族元素氮化物半导体基板,其具备第一面和第二面,所述III族元素氮化物半导体基板的特征在于,当将自该第一面的表面的外周起算为1mm的范围设为外周部,将该第一面的表面的除该外周部以外的部分设为内周部时,通过阴极发光观察,在该外周部观察到变质层,在该内周部没有观察到变质层。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日本碍子株式会社 III族元素氮化物半导体基板及贴合基板

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