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申请/专利权人：湘潭大学

摘要：本发明公开了一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用，将In2O3和SnO2粉末混合获得混合粉，混合粉预烧结，获得铟锡氧三元化合物粉末，造粒，获得铟锡氧三元化合物粒料，压制成型获得铟锡氧三元化合物坯体，再将铟锡氧三元化合物坯体于氧化性气氛下进行第1步烧结，然后进行氧气置换处理，再进行第2步烧结即得铟锡氧三元化合物靶材，本发明的制备方法具有工艺流程简单、成本低、绿色环保，可制备低铟含量的高致密度的铟锡氧三元化合物靶材，利用铟锡氧三元化合物靶材所制得薄膜具有优良光电性能和良好的耐酸腐蚀性能，可满足现有建筑玻璃对“三防”薄膜的性能要求，同时还可降低铟的消耗，缓解铟资源短缺的压力。

主权项：1.一种铟锡氧三元化合物靶材的制备方法，其特征在于：将In2O3和SnO2粉末混合获得混合粉，混合粉预烧结，获得铟锡氧三元化合物粉末，将铟锡氧三元化合物粉末造粒，获得铟锡氧三元化合物粒料，将铟锡氧三元化合物粒料，压制成型获得铟锡氧三元化合物坯体，再将铟锡氧三元化合物坯体于氧化性气氛下进行第1步烧结，然后进行氧气置换处理，再于氧化性气氛下进行第2步烧结即得铟锡氧三元化合物靶材；所述混合粉中，SnO2的质量分数为34.5~45.5%；所述预烧结在氧化性气氛下进行，所述预烧结的温度为1450~1650℃，预烧结的时间为1~5h；所述压制成型的过程为：将铟锡氧三元化合物粒料装入冷压模具，经振动和抽真空操作后，依次进行3次冷等静压，即得铟锡氧三元化合物坯体，第1次冷等静压的压力为150~250MPa，第2次冷等静压的压力为200~300MPa，第3次冷等静压的压力为280~400MPa；所述氧气置换处理的过程为：第1步烧结完成后，对烧结炉进行抽真空至10-1Pa以下，然后充入纯氧气至标准大气压，如此反复进行2~3次后，再升温进行第2步烧结；所述第1步烧结的过程为：以5℃min-20℃min的升温速率升至600~1150℃，保温4~12h，控制氧化性气氛的流量为5~50Lmin；所述第2步烧结的过程为：以5℃min-20℃min的升温速率升至1500~1700℃，保温2~20h，控制氧化性气氛的流量为5~50Lmin。

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百度查询： 湘潭大学 一种铟锡氧三元化合物靶材及其制备方法和应用