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申请/专利权人：波平方科技(杭州)有限公司
摘要：本发明公开了非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元，包括以下步骤；在晶圆上沉积介质层1，并通过刻蚀方法在介质层1中形成深槽；在深槽内填充介质层2，并进行平坦化处理；通过刻蚀方法在介质层1和介质层2中形成磁性纳米线赛道模板；通过选择性原子层沉积的方法在磁性纳米线赛道模板上形成磁性纳米线赛道；完成读器件和写器件的制备，本发明通过刻蚀和沉积工艺形成沉积纳米线赛道所需的介质模板，然后通过选择性的原子层沉积方法形成磁性纳米线赛道，从而实现高深宽比，且不对磁性纳米线赛道的材料特性造成破坏,能制备具有高深宽比的磁性纳米线赛道，且制备过程中不需要对磁性纳米线赛道的磁性材料进行刻蚀，避免了刻蚀工艺引起的性能退化。
主权项：1.非易失磁性存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤；在晶圆上沉积介质层1，并通过刻蚀方法在介质层1中形成深槽；在深槽内填充介质层2，并进行平坦化处理；通过刻蚀方法在介质层1和介质层2中形成磁性纳米线赛道模板；通过选择性原子层沉积的方法在磁性纳米线赛道模板上形成磁性纳米线赛道；完成读器件和写器件的制备；在磁性纳米线赛道沉积之前还包括对介质层1和介质层2的表面进行处理，以获得更好的选择性，其中处理方法选自湿法清洗、等离子体处理；所述介质层1为氧化硅或含有掺杂元素的氧化硅；所述介质层2是氮化硅或含有掺杂元素的氮化硅；在磁性纳米线赛道模板上形成磁性纳米线赛道具体为通过选择性原子层沉积的方法依次形成种子层、磁性层以及覆盖层；通过选择性原子层沉积的方法依次形成种子层、磁性层以及覆盖层方法为，通过选择合适的介质表面特性和原子层沉积工艺的先驱物，使得磁性纳米线赛道仅会沉积在介质层2的表面，而无法沉积在介质层1表面，最终形成预设形状及尺寸的磁性纳米线赛道。
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百度查询： 波平方科技(杭州)有限公司 非易失磁性存储器的制作方法及磁性存储器单元
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