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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备，涉及类脑计算技术领域，利用器件本身的物理动力学特性实现神经元的漏电积分特性，提高神经元电路的集成密度。该神经元电路包括反铁电晶体管；反铁电晶体管的栅极用于接入脉冲信号，反铁电晶体管的第一电极与电源耦接，反铁电晶体管的第二电极接地。上述基于神经网络的集成电路具有至少一个上述的神经元电路。上述电子设备包括上述基于神经网络的集成电路。本发明提供的一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备用于脉冲神经网络芯片的构建。
主权项：1.一种神经元电路，其特征在于，包括反铁电晶体管；所述反铁电晶体管的栅极用于接入脉冲信号，所述反铁电晶体管的第一电极与电源耦接，所述反铁电晶体管的第二电极接地；所述神经元电路还包括分压电路，所述分压电路与所述反铁电晶体管串联；所述分压电路包括电阻，所述电阻的第一端与所述反铁电晶体管的第一电极耦接，所述电阻的第二端与所述电源耦接；或者，所述电阻的第一端与所述反铁电晶体管的第二电极耦接，所述电阻的第二端接地；所述反铁电晶体管基于以下制作方法得到：当所述反铁电晶体管为反铁电场效应管时，在硅或其他半导体衬底上制作半成熟的场效应管；在所述半成熟的场效应管上形成反铁电层；在所述反铁电层上形成栅电极；当所述反铁电晶体管为反铁电金属场效应管时，在硅或其他半导体衬底上制作场效应管；将所述场效应管的栅极作为中间栅极用通孔引出；在所述通孔上形成下电极；在所述下电极上形成反铁电层；在所述反铁电层上形成栅电极。
全文数据：
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种神经元电路、基于神经网络的集成电路和电子设备
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