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申请/专利权人：深圳莱福德科技股份有限公司

摘要：本发明提供一种启动电路，包括输入电路、第一晶体管、第二晶体管、中央控制器及第三晶体管。输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号。第一晶体管接收输入电路传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态。第二晶体管接收第一晶体管传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后。等电压端具有等电压信号。其中，当启动电路上电时，中央控制器根据等电压端的等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管。本发明提供的启动电路，中央控制器可以根据等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管，以防止第三晶体管在上电时发生损坏。

主权项：1.一种启动电路，其特征在于，所述启动电路包括：输入电路，所述输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号；第一晶体管，其与所述输入电路电性连接，所述第一晶体管接收所述输入电路传送的所述脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态；第二晶体管，其与所述第一晶体管及等电压端电性连接，所述第二晶体管接收所述第一晶体管传送的所述脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后，所述等电压端具有等电压信号；中央控制器，其与所述第二晶体管及所述等电压端电性连接；第三晶体管，其与所述中央控制器电性连接，所述电压输入端电性连接于所述第三晶体管与所述中央控制器之间，其中，当所述启动电路上电时，所述中央控制器根据所述等电压端的所述等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。

全文数据：启动电路技术领域本发明涉及电子电路领域，具体而言，涉及一种启动电路。背景技术一般来说，电子产品在接收外部电源提供的电能时，可能会因外部电源提供过大电压而造成电子产品中的零件产生损害。因此，如何降低在上电时电子产品中的零件产生损害是亟需克服的问题。发明内容鉴于上述问题，本发明提供了一种启动电路，能够有效解决上电时电子零件产生损害的问题。为了实现上述目的，本发明采用如下的技术方案：第一方面，本发明提供了一种启动电路，所述启动电路包括：输入电路，所述输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号；第一晶体管，其与所述输入电路电性连接，所述第一晶体管接收所述输入电路传送的所述脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态；第二晶体管，其与所述第一晶体管及等电压端电性连接，所述第二晶体管接收所述第一晶体管传送的所述脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后，所述等电压端具有等电压信号；中央控制器，其与所述第二晶体管、所述电压输入端及所述等电压端电性连接；第三晶体管，其与所述中央控制器电性连接，所述电压输入端电性连接于所述第三晶体管与所述中央控制器之间，其中，当所述启动电路上电时，所述中央控制器根据所述等电压端的所述等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。作为一种可选的实施方式，当所述等电压端的所述等电压信号高于预设阈值时，所述中央控制器降低脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。作为一种可选的实施方式，当所述等电压端的所述等电压信号低于预设阈值时，所述中央控制器提升脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。作为一种可选的实施方式，所述输入电路包括：第一二极管，一端与所述电压输入端电性连接；第一电阻，一端与所述第一二极管的另一端电性连接；电容，一端接地，另一端与所述第一电阻的另一端电性连接，所述电容用于储能；第二电阻，一端与所述电容的另一端及所述第一电阻的另一端电性连接。作为一种可选的实施方式，所述第一晶体管为NPN型三极管，具有射极、基极及集极，所述第一晶体管的射极接地，所述第一晶体管的基极电性连接所述输入电路。作为一种可选的实施方式，所述第二晶体管为PNP型三极管，具有射极、基极及集极，所述第二晶体管的基极电性连接所述第一晶体管的集极，所述第二晶体管的集极电性连接所述等电压端用于提供所述等电压信号。作为一种可选的实施方式，所述启动电路还包括：第三电阻，一端与所述第二晶体管的射极电性连接；第四电阻，一端与所述第三电阻的另一端及中央控制器的第一引脚电性连接；稳压器，一端接地，另一端与所述第四电阻的另一端及中央控制器的第二引脚电性连接。作为一种可选的实施方式，所述稳压器为齐纳二极管。作为一种可选的实施方式，中央控制器的第三引脚与所述等电压端电性连接。作为一种可选的实施方式，所述第三电晶体为N型MOS三极管，具有闸极、漏极和源极，所述启动电路还包括：第五电阻，一端与中央控制器的第四引脚及所述电压输入端电性连接；第六电阻，一端与所述中央控制器的第四引脚、所述第五电阻的一端及所述电压输入端电性连接；第二二极管，一端与所述第五电阻的另一端电性连接；所述第三电晶体的闸极与所述第六电阻的另一端及所述第二二极管的另一端电性连接，所述第三电晶体的源极接地，所述第三电晶体的漏极电性连接电压源。根据本发明提供了一种启动电路，包括输入电路、第一晶体管、第二晶体管、中央控制器及第三晶体管。输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号。第一晶体管接收输入电路传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态。第二晶体管接收第一晶体管传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后。等电压端具有等电压信号。其中，当启动电路上电时，中央控制器根据等电压端的等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管。本发明提供的启动电路，中央控制器可以根据等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管，以防止第三晶体管在上电时发生损坏，增加安全性。另外，通过齐纳二级管的钳位功能控制等压端的电压位准，增加准确性。一般来说，输入电路的电容，具有储能功能，可以避免电压输入端传送的脉冲宽度调制信号发生电压不稳的情况。为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明范围的限定。图1是本发明实施例1提供的启动电路的示意性方框图；图2是本发明实施例2提供的启动电路的示意性电路图。主要元件符号说明：100、200启动电路；110-输入电路；120-第一晶体管；130-第二晶体管；140-中央控制器；150-第三晶体管；D1-第一二极管；R1-第一电阻；C-电容；Q1-NPN型三极管；Q2-PNP型三极管；R3-第三电阻；R4-第四电阻；Z-稳压器；R5-第五电阻；R6-第六电阻；D2-第二二极管；VIE-电压输入端；EVE-等电压端。具体实施方式下面详细描述本发明的实施例，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例1请参阅图1，图1是本发明实施例1提供的启动电路的示意性方框图。启动电路100包括输入电路110、第一晶体管120、第二晶体管130、中央控制器140及第三晶体管150。进一步来说，第一晶体管120与输入电路110电性连接。第二晶体管130与第一晶体管120及等电压端EVE电性连接。中央控制器140与第二晶体管130及等电压端EVE电性连接。第三晶体管150与中央控制器140电性连接。例如，中央控制器140可以为中央处理器CPU,centerprocessorunit，包括多个引脚，各引脚用于收发信号，例如，中央控制器140可用于控制led驱动电路发送输出信号以控制其调光功能调整亮度或颜色。在一实施例中，输入电路110接收电压输入端VIE传送的脉冲宽度调制信号PWM1。例如，电压输入端VIE可以接收电源供应器传送的脉冲宽度调制信号PWM1。脉冲宽度调制是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制BJT晶体管的基极或MOS晶体管的栅极，以实现晶体管或MOS管导通时间的改变，进而调整开关稳压电源输出。第一晶体管120接收输入电路110传送的脉冲宽度调制信号PWM1后，第一晶体管120由截止状态转换为导通状态，例如，当第一晶体管120为BJT晶体管时，脉冲宽度调制信号PWM1的电压位准大于VBE，当第一晶体管120为MOS晶体管时，脉冲宽度调制信号PWM1的电压位准大于VGS。在一实施例中，当电压输入端VIE触发第一晶体管120导通后，接着，第二晶体管130接收第一晶体管120传送的脉冲宽度调制信号PWM1并由截止状态转换为导通状态后，输入电路110、第一晶体管120、第二晶体管130及等电压端EVE形成通路，等电压端EVE具有等电压信号CS。在图1中，等电压端EVE分别电性连接第二晶体管130及中央控制器140，提供等电压信号CS至中央控制器140。在一实施例中，电压输入端VIE电性连接于第三晶体管150与中央控制器140之间，其中，当启动电路100上电时，电压输入端VIE传送脉冲宽度调制信号PWM1，接着，中央控制器140根据等电压端EVE传送的等电压信号CS调整脉冲宽度调制信号PWM1的占空比，中央控制器140将调整占空比后的脉冲宽度调制信号PWM1传送至第三晶体管150，以有效避免第三晶体管150在上电时，因电压过高和或电流过高而发生损害，有效维护电性安全。在一实施例中，当等电压端EVE的等电压信号CS高于预设阈值时，中央控制器140降低脉冲宽度调制信号PWM1的占空比并传送至第三晶体管150。例如，当等电压端EVE的等电压信号CS的电压位准高于5V时视为预设阈值，中央控制器140控制脉冲宽度调制信号PWM1的占空比由70％降低至30％，中央控制器140将控制占空比后的脉冲宽度调制信号PWM1传送至第三晶体管150。有效避免第三晶体管150发生损害。在一实施例中，当等电压端EVE的等电压信号CS低于预设阈值时，中央控制器140提升脉冲宽度调制信号PWM1的占空比并传送至第三晶体管150。例如，当等电压端EVE的等电压信号CS的电压位准低于2V时视为预设阈值，此时，第三晶体管150无法导通。中央控制器140控制脉冲宽度调制信号PWM1的占空比由20％提升至80％，中央控制器140将控制占空比后的脉冲宽度调制信号PWM1传送至第三晶体管150，以适应性的启动至第三晶体管150。实施例2请参阅图2，图2是本发明实施例2提供的启动电路的示意性电路图。启动电路200包括输入电路110、第一晶体管120、第二晶体管130、第三电阻R3、第四电阻R4、稳压器Z、第五电阻R5、第六电阻R6、第二二极管D2、中央控制器140及第三晶体管150。进一步来说，输入电路110包括第一二极管D1、第一电阻R1、电容C及第二电阻R2。第一二极管D1的一端与电压输入端VIE电性连接，例如，第一二极管D1为提供固定压降例如0.4-0.5V，电压输入端VIE提供外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大于导通电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通。第一电阻R1的一端与第一二极管D1的另一端电性连接。电容C的一端接地。电容C的另一端与第一电阻R1的另一端电性连接，电容C用于储能，在启动电路200的上电过程中，可以避免电压输入端VIE传送的脉冲宽度调制信号发生电压不稳的情况。第二电阻R2的一端与电容C的另一端及第一电阻R1的另一端电性连接。在一实施例中，第一晶体管120为NPN型三极管Q1，NPN型三极管由三个半导体构成，其中两个N型和一个P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。其主要功能是电流放大和开关作用。第一晶体管120具有射极、基极及集极。第一晶体管120的射极接地。第一晶体管120的基极电性连接输入电路110。NPN型三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当NPN型三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化。在一实施例中，第二晶体管130为PNP型三极管Q2，PNP型三极管是由两个P型半导体中间夹着一个N型半导体所组成的三极管。第二晶体管130具有射极、基极及集极，PNP型三极管的射极电位最高，集极电位最低。第二晶体管130的基极电性连接第一晶体管120的集极，第二晶体管130的集极电性连接等电压端EVE用于提供等电压信号CS。当启动电路200上电后，等电压端EVE、第二晶体管130、第一晶体管120、第二电阻R2、第一电阻R1及第一二极管D1形成通路。在一实施例中，第三电阻R3的一端与第二晶体管130的射极电性连接，第三电阻R3的一端提供导通电压至第二晶体管130的射极以导通之。第四电阻R4的一端与第三电阻R3的另一端及中央控制器140的第一引脚PIN1电性连接。稳压器Z的一端接地。稳压器Z的另一端与第四电阻R4的另一端及中央控制器140的第二引脚PIN2电性连接。稳压器Z为齐纳二极管。稳压二极管，又叫齐纳二极管Zenerdiode。利用PN反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。齐纳二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。中央控制器140的第三引脚PIN3与等电压端EVE电性连接。第三电晶体150为N型MOS三极管，NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高。N型MOS三极管具有闸极、漏极和源极。第五电阻R5的一端与中央控制器140的第四引脚PIN4及电压输入端VIE电性连接。第六电阻R6的一端与中央控制器140的第四引脚PIN4、第五电阻R5的一端及电压输入端VIE电性连接。第二二极管D2的一端与第五电阻R5的另一端电性连接。第三电晶体150的闸极与第六电阻R6的另一端及第二二极管D2的另一端电性连接，第三电晶体150的源极接地，第三电晶体150的漏极电性连接电压源。由上述，本发明提供了一种启动电路，包括输入电路、第一晶体管、第二晶体管、中央控制器及第三晶体管。输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号。第一晶体管接收输入电路传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态。第二晶体管接收第一晶体管传送的脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后。等电压端具有等电压信号。其中，当启动电路上电时，中央控制器根据等电压端的等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管。本发明提供的启动电路，中央控制器可以根据等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至第三晶体管，以防止第三晶体管在上电时发生损坏，增加安全性。另外，通过齐纳二级管的钳位功能控制等压端的电压位准，增加准确性。一般来说，输入电路的电容，具有储能功能，可以避免电压输入端传送的脉冲宽度调制信号发生电压不稳的情况。另外，由中央控制器的第四引脚根据等电位信号控制传送至第三晶体管的脉冲宽度调制信号的占空比以防止其发生损害，增加用电安全。为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，上面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行了清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以上对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

权利要求：1.一种启动电路，其特征在于，所述启动电路包括：输入电路，所述输入电路接收电压输入端传送的脉冲宽度调制信号；第一晶体管，其与所述输入电路电性连接，所述第一晶体管接收所述输入电路传送的所述脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态；第二晶体管，其与所述第一晶体管及等电压端电性连接，所述第二晶体管接收所述第一晶体管传送的所述脉冲宽度调制信号并由截止状态转换为导通状态后，所述等电压端具有等电压信号；中央控制器，其与所述第二晶体管及所述等电压端电性连接；第三晶体管，其与所述中央控制器电性连接，所述电压输入端电性连接于所述第三晶体管与所述中央控制器之间，其中，当所述启动电路上电时，所述中央控制器根据所述等电压端的所述等电压信号调整脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。2.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，当所述等电压端的所述等电压信号高于预设阈值时，所述中央控制器降低脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。3.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，当所述等电压端的所述等电压信号低于预设阈值时，所述中央控制器提升脉冲宽度调制信号的占空比并传送至所述第三晶体管。4.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述输入电路包括：第一二极管，一端与所述电压输入端电性连接；第一电阻，一端与所述第一二极管的另一端电性连接；电容，一端接地，另一端与所述第一电阻的另一端电性连接，所述电容用于储能；第二电阻，一端与所述电容的另一端及所述第一电阻的另一端电性连接。5.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第一晶体管为NPN型三极管，具有射极、基极及集极，所述第一晶体管的射极接地，所述第一晶体管的基极电性连接所述输入电路。6.根据权利要求5所述的启动电路，其特征在于，所述第二晶体管为PNP型三极管，具有射极、基极及集极，所述第二晶体管的基极电性连接所述第一晶体管的集极，所述第二晶体管的集极电性连接所述等电压端用于提供所述等电压信号。7.根据权利要求6所述的启动电路，其特征在于，所述启动电路还包括：第三电阻，一端与所述第二晶体管的射极电性连接；第四电阻，一端与所述第三电阻的另一端及中央控制器的第一引脚电性连接；稳压器，一端接地，另一端与所述第四电阻的另一端及中央控制器的第二引脚电性连接。8.根据权利要求7所述的启动电路，其特征在于，所述稳压器为齐纳二极管。9.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，中央控制器的第三引脚与所述等电压端电性连接。10.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，所述第三电晶体为N型MOS三极管，具有闸极、漏极和源极，所述启动电路还包括：第五电阻，一端与中央控制器的第四引脚及所述电压输入端电性连接；第六电阻，一端与所述中央控制器的第四引脚、所述第五电阻的一端及所述电压输入端电性连接；第二二极管，一端与所述第五电阻的另一端电性连接；所述第三电晶体的闸极与所述第六电阻的另一端及所述第二二极管的另一端电性连接，所述第三电晶体的源极接地，所述第三电晶体的漏极电性连接电压源。

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