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申请/专利权人：江苏先导微电子科技有限公司

摘要：一种1510nm‑1575nm波段大角度减反射膜的光学镀膜工艺包括步骤：S1，将基底的表面清洁；S2，为磁控溅射设备的工艺腔选择一对中频Nb2O5靶、一对中频Si靶、以及RF离子源；S3，将基地固定于旋转台的下表面上，将工艺腔抽真空；S4，采用RF离子源对基底清洗；S5，磁控溅射设备抓取Nb2O5SiO2Si膜系数据；S6，旋转台带动基底旋转，基于Nb2O5SiO2Si膜系数据，开启一对中频Nb2O5靶和一对中频Si靶中的与镀制的膜层对应的靶的旋转，同时开启一对中频Nb2O5靶和一对中频Si靶对应的中频电源和RF离子源、对应地控制Ar气的通入或不通入以及氧气的通入或不通入并维持工艺腔排气以维持工艺室的流动式压力；S7，依照膜系数据镀制完成整个膜系。

主权项：1.一种1510nm-1575nm波段大角度减反射膜的光学镀膜工艺，包括步骤：S1，将基底的表面清洁；S2，为磁控溅射设备的工艺腔选择一对中频Nb2O5靶、一对中频Si靶、以及RF离子源，一对中频Nb2O5靶、一对中频Si靶、以及RF离子源均低于工艺腔上部的旋转台，S3，将基地固定于旋转台的下表面上，将工艺腔抽真空到小于9.0×10-5Pa；S4，采用RF离子源对基底的表面进行清洗；S5，磁控溅射设备抓取Nb2O5SiO2Si膜系数据，在通过一对中频Nb2O5靶镀制Nb2O5膜层时在一对中频Nb2O5靶位置通入Ar气同时在RF离子源处通入氧气并维持工艺腔排气，在通过一对中频Si靶镀制SiO2膜层时在一对中频Si靶位置通入Ar气同时在RF离子源处通入氧气并维持工艺腔排气，在通过一对中频Si靶镀制Si膜层时在一对中频Si靶位置通入Ar气、在RF离子源处不通入氧气但通入Ar气并维持工艺腔排气；S6，旋转台带动基底旋转，基于Nb2O5SiO2Si膜系数据，开启一对中频Nb2O5靶和一对中频Si靶中的与镀制的膜层对应的靶的旋转，同时开启一对中频Nb2O5靶和一对中频Si靶对应的中频电源和RF离子源、对应地控制Ar气的通入或不通入以及氧气的通入或不通入并维持工艺腔排气以维持工艺室的流动式压力；S7，依照膜系数据镀制完成整个膜系后关闭中频电源和RF离子源，停止Ar气的通入和氧气的通入，停止工艺腔排气，停止旋转台旋转。

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百度查询： 江苏先导微电子科技有限公司 1510nm-1575nm波段大角度减反射膜的光学镀膜工艺