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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种高速声光调制复合波导结构及其制备方法，主要解决现有氮化铝基声光调制器中声表面波强度弱以及掺钪氮化铝光波导中晶体结构缺陷影响光模式传播的问题。方案包括：自底向上的硅衬底、二氧化硅埋层和波导调制区，且对二氧化硅埋层进行挖空腔处理，或者采用布拉格反射腔对其进行替代；其中波导调制区域包括复合结构、叉指换能器和覆盖保护层，复合结构由采用氮化铝的波导和采用掺杂氮化铝的压电层经过叠层沉积形成；覆盖保护层覆盖在复合结构的上表面。本发明能够实现光波导与压电薄膜良好的晶格匹配，具备CMOS兼容特性，且在声场与光场良好耦合，提高声光调制效率的情况下，显著降低了声光调制器的尺寸及成本。
主权项：1.一种高速声光调制复合波导结构，其特征在于，自下而上依次包括：硅衬底1、二氧化硅埋层2和波导调制区域3；所述二氧化硅埋层2经过挖空腔处理，其中含有空腔21；所述波导调制区域3，包括复合结构31、叉指换能器32和覆盖保护层33；复合结构31由波导311和压电层312组成，其中波导311采用氮化铝薄膜材料，压电层312采用掺杂氮化铝薄膜材料；所述复合结构31位于二氧化硅埋层2的上方，复合结构31包括紧密接触的波导311和压电层312；所述叉指换能器32位于波导311的一侧，且位于压电层312的上表面和空腔21的上方；所述覆盖保护层33位于波导311的上方，覆盖在波导311和压电层312的上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种高速声光调制复合波导结构及其制备方法
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