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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：提供了一种用于填充半导体衬底经保形层加衬的特征的有效率方法，该方法利用金属前体以在特征的底部处选择性地沉积金属以及从特征侧壁蚀刻保形层衬垫。
主权项：1.一种填充特征的方法，所述方法包括：在沉积室中提供衬底，所述衬底包括具有特征底部和特征侧壁的特征，所述特征具有保形衬垫层，所述保形衬垫层包括加衬的特征底表面和加衬的特征侧壁表面；使用金属前体和还原剂在所述加衬的特征底表面上选择性地沉积金属膜以形成金属膜基底；相比于蚀刻所述金属膜基底，利用所述金属前体优先从所述特征侧壁蚀刻所述保形衬垫层；以及使用所述金属前体，将金属沉积于所述金属膜基底上的所述特征内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 用于逻辑源极/漏极触点的低电阻钼沉积
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