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申请/专利权人：哈尔滨圣邦微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种滞回比较器和芯片，包括：反相电路，包括串联在电源电压和地之间的上拉晶体管和下拉晶体管，上拉晶体管和下拉晶体管的控制端用于接收输入信号，上拉晶体管和下拉晶体管的中间节点用于提供输出信号；以及体控制电路，用于向下拉晶体管提供第一衬底电压以及向上拉晶体管提供第二衬底电压，第一衬底电压大于零且第二衬底电压小于电源电压，从而形成MOS管背栅效应，使得上拉晶体管和下拉晶体管的导通阈值降低，从而可以带来兼容性、性能、噪声容限和设计灵活性等多方面的好处。此外，体控制电路还用于根据输出信号调整第一衬底电压和第二衬底电压以提供滞回效应，能够在不增加电路复杂性的情况下实现所需的滞回特性。
主权项：1.一种滞回比较器，包括：反相电路，包括串联在电源电压和地之间的上拉晶体管和下拉晶体管，所述上拉晶体管和所述下拉晶体管的控制端用于接收输入信号，所述上拉晶体管和所述下拉晶体管的中间节点用于提供输出信号；以及体控制电路，与所述下拉晶体管和所述上拉晶体管的衬底连接，用于向所述下拉晶体管提供第一衬底电压以及向所述上拉晶体管提供第二衬底电压，所述第一衬底电压大于零且所述第二衬底电压小于所述电源电压，以能够在所述下拉晶体管和所述上拉晶体管形成MOS管背栅效应，其中，所述体控制电路还用于根据所述输出信号调整所述第一衬底电压和所述第二衬底电压以提供滞回效应。
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权利要求：
百度查询： 哈尔滨圣邦微电子有限公司 滞回比较器和芯片
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