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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明提供的具有全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，所述探测器件在覆盖氧化硅的硅衬底上依次转移黑磷层、石墨烯层和硒化铟层构成三明治结构，制备四叶草天线的四端电极以及相应的引线电极，四叶草天线的四端电极包括第一成对电极和第二成对电极，最后，在三明治结构与四叶草天线之上转移覆盖氮化硼绝缘层保护器件，防止器件导电沟道氧化。本发明的全光调控放大响应的超宽带探测器件及其应用，为实现复杂环境下微弱信号室温、集成化、高灵敏度、自适应、超宽带探测奠定了器件设计结构与光电转换理论基础。
主权项：1.具有全光调控放大响应的超宽带探测器件，其特征在于：包括覆盖氧化硅的硅衬底，硅衬底上依次转移黑磷层、石墨烯层和硒化铟层，所述黑磷层、石墨烯层和硒化铟层构成三明治结构；还包括四叶草天线的四端电极及其相应的引线电极，四叶草天线的四端电极包括第一成对电极和第二成对电极，其中，第一成对电极中的一个电极仅与黑磷层接触，另一个电极仅与硒化铟层接触，构成的异质结构器件用于红外响应与全光调控；第二成对电极与石墨烯层接触，用于太赫兹宽频段响应探测，集成四叶草天线的四端电极，通过操纵光场耦合与分布，达到不同通道光耦合增强的效果；所述硒化铟层形成的导电沟道长度为4~6μm，硒化铟层的厚度为10nm；所述石墨烯层形成的导电沟道长度为4~6μm，石墨烯层的厚度为10nm，迁移率为1000~10000cm2V-1s-1，载流子浓度为1011~1014cm-2；所述黑磷层形成的导电沟道长度为4~6μm，黑磷层的厚度为10nm。
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