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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：本发明涉及微电子封装技术、微机电系统封装技术以及三维集成技术封装领域，涉及一种晶圆级金属微凸点制备技术，具体是一种超窄节距节距小于50μmnt‑Cu纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法。本发明的nt‑Cu纳米复合Ag基微凸点与普通铜凸点相比，应力小，组织均匀、稳定，工艺简单，只需要控制复合凸点的尺寸和微观结构，就可以充分利用纳米孪晶铜的综合力学性能，从而获得具有高强度，高导电性能及高可靠性能的nt‑Cu纳米复合Ag基微凸点互连结构。
主权项：1.一种超窄间距nt-Cu纳米复合Ag基微凸点互连结构，其特征在于：该互连结构包括晶圆基底1、绝缘层2和若干个互联部件，互联部件包括金属焊盘3、介电层4、种子层5、铜柱6和银凸点7；绝缘层2位于晶圆基底1的上表面，若干个互联部件呈阵列形式布置在晶圆基底1表面的绝缘层2上，互联部件中的金属焊盘3置于晶圆基底1表面的绝缘层2上；互联部件之间的绝缘层2上覆盖有介电层4，金属焊盘3的侧面和上表面的外缘部分上覆盖有介电层4，金属焊盘3上表面没有覆盖介电层4的部位溅射有种子层5，位于金属焊盘3上表面外缘部分的介电层4的内侧面和与内侧面紧邻的上表面上也溅射有种子层5；铜柱6位于种子层的上方，银凸点7位于铜柱6的上方；其中，所述的银凸点7为纳米粒子复合Ag层，纳米粒子为Ag、Zn、Sn、Cu中的至少一种，纳米粒子弥散分布于Ag基微凸点中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 一种超窄节距nt-Cu/纳米复合Ag基微凸点互连结构及其制备方法
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