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摘要:本发明公开了一种反相电路以及TTL电路,包括晶体管一、晶体管二、晶体管三和电阻一,晶体管一、晶体管二、晶体管三均采用增强型伪高电子迁移率晶体管;晶体管一的栅极接晶体管三的栅极,并作为反相电路的输入端,晶体管一的源极接电源电压VEE,晶体管一的漏极分别接电阻一的一端、晶体管二的栅极,电阻一的另一端和晶体管二的漏极接地,晶体管二的源极和晶体管三的漏极相接,并作为反相电路的输出端,晶体管三的源极接电源电压。优点:大大提高电路的可靠性,整形波形,使输出电压更加接近0V和‑5V,提高驱动负载能力;减少成本,降低系统复杂度,同时该驱动电路功耗较低,提供良好的驱动能力。
主权项:1.一种反相电路,其特征在于,包括晶体管一、晶体管二、晶体管三和电阻一,所述晶体管一、晶体管二、晶体管三均采用增强型伪高电子迁移率晶体管;所述晶体管一的栅极接晶体管三的栅极,并作为反相电路的输入端,晶体管一的源极接电源电压VEE,晶体管一的漏极分别接电阻一的一端、晶体管二的栅极,电阻一的另一端和晶体管二的漏极接地,晶体管二的源极和晶体管三的漏极相接,并作为反相电路的输出端,晶体管三的源极接电源电压VEE。
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