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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要：本发明公开了一种红光垂直腔面发光激光器及其阵列，所述激光器包括衬底以及在衬底上依次设置的底部半导体DBR结构、有源谐振腔结构、顶部半导体DBR结构、相位调谐层和顶部电介质DBR结构。本发明中，仅保留部分半导体DBR和有源谐振腔结构，高反射率主要通过电介质DBR实现，大幅减少了半导体DBR的层数，增强了VCSEL载流子限制作用，减轻了由于半导体DBR层数较多带来的高电压和低热导问题，大幅减轻VCSEL外延材料生长难度，改善其温度特性的同时使其能够在更短的波长范围工作，对基于VCSEL的激光显示色域优化有重要作用。
主权项：1.一种红光垂直腔面发光激光器，其特征在于：包括衬底以及在衬底上依次设置的底部半导体DBR结构、有源谐振腔结构、顶部半导体DBR结构和相位调谐层；所述底部半导体DBR结构包括多对底部半导体DBR结构复合单元，所述有源谐振腔结构设置有量子阱，所述顶部半导体DBR结构包括至少一对顶部半导体DBR结构复合单元，所述顶部半导体DBR结构设置有电流限制结构；所述相位调谐层的外围向下刻蚀至底部半导体DBR结构并形成第一台面，所述第一台面上方未刻蚀的部分形成第一凸部和第二凸部，所述第一凸部的上表面形成第二台面，所述第二凸部的上表面形成第三台面；所述第二台面上设置有顶部电介质DBR结构，所述顶部电介质DBR结构包括至少一对顶部电介质DBR结构复合单元。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 红光垂直腔面发光激光器及其阵列
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