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申请/专利权人：电子科技大学;北京机电工程研究所

摘要：本发明公开了一种双极化带宽可重构的宽通带频率选择表面，属于电磁对抗及隐身技术领域。本发明所述频率选择表面包括三层金属结构和两层介质基板，间隔设置；第一层金属结构和第三层金属结构均为四个方形贴片组成，变容二极管加载在贴片间隙；第二层金属结构为方环槽形结构。本发明所述频率选择表面通过合理地安排变容二极管的排布方向和利用沿对角线方向的偏置馈电网络，实现了变容二极管的馈电。本发明所述频率选择表面能够通过控制外加电压，实现宽透射通带的双极化频率选择表面及其通带带宽的可重构性。

主权项：1.一种双极化带宽可重构的宽通带频率选择表面，其特征在于，包括周期排布的M×N个频率选择表面单元和馈电偏置网络，M和N分别为正整数；频率选择表面单元呈90°中心旋转对称结构，包括由上至下依次紧密贴合的第一层金属结构、第一介质基板、第二层金属结构、第二介质基板和第三层金属结构；第一层金属结构与第三金属结构的结构相同，尺寸不同；均包括四个方形贴片和四个变容二极管；四个方形贴片呈2×2排布，相邻的两个方形贴片之间留有缝隙，方形贴片的边与第一介质基板的边平行；对于每一行中各第一层金属或第三金属结构，变容二极管朝向相同；对于相邻两行的第一层金属或第三金属结构，变容二极管朝向相反；对于第一行的第一层金属或第三金属结构，第一变容二极管位于左上方方形贴片与左下方方形贴片的缝隙处，正极连接左下方方形贴片，负极连接左上方方形贴片；第二变容二极管位于左下方方形贴片与右下方方形贴片的缝隙处，正极连接右下方方形贴片，负极连接左下方方形贴片；第三变容二极管位于右下方方形贴片与右上方方形贴片的缝隙处，正极连接右下方方形贴片，负极连接右上方方形贴片；第四变容二极管位于右上方方形贴片与左上方方形贴片的缝隙处，正极连接右上方方形贴片，负极连接左上方方形贴片；第三金属结构中的方形贴片边长大于第一金属结构中的方形贴片边长；第二层金属结构呈方环槽形结构，包括金属方环和中心方形贴片；金属方环、中心方形贴片和第一介质基板的边相互平行；中心方形贴片位于第一介质基板下表面的中心位置，金属方环位于第一介质基板下表面的四周位置；馈电偏置网络包括直流馈电线和电感；第一层金属结构和第三层金属结构中，由左上方形贴片的左上角朝左上方向延伸出直流馈电线，由右上方形贴片的右上角朝右上方向延伸出直流馈电线，左下方形贴片的左下角朝左下方向延伸出直流馈电线，由右下方形贴片的右下角朝右下方向延伸出直流馈电线，直流馈电线与方形贴片边的夹角为45°；对于第一层金属结构和第三层金属结构，左上位置的直流馈电线通过电感与位于该层金属结构左上方位的第一层金属结构或第三层金属结构中右下位置的直流馈电线连接，右下位置的直流馈电线通过电感与位于该层金属结构右下方位的第一金属结构或第三金属结构中左上位置的直流馈电线连接；对于M行频率选择表面单元，共计配置有M+1行由电感连通的直流馈电线，奇数行馈电线通过电感连通直流电源正电极，偶数行馈电线通过电感连通直流电源负电极。

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