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申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种变掺杂U槽结构的VDMOSFET器件，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层、P体区以及N体区，其中单个所述MOS元胞的中间处蚀刻成型有沟槽，且沟槽的内部嵌设有栅极；所述MOS元胞结构的底层表面欧姆连接有漏极，其漏极与衬底层欧姆短接；所述MOS元胞结构的顶层表面欧姆连接有金属源极，其金属源极与P体区、N体区均欧姆短接。本发明通过将三个互不接触的抑制P阱层嵌入衬底层内部，并且让漏极与抑制P阱层欧姆接触，这样在反向恢复电流下降的过程中，由于存在有空穴的注入会使得衬底层空穴的下降速度减慢，从而使得反向恢复电流得以平滑衰减。
主权项：1.一种变掺杂U槽结构的VDMOSFET器件，其特征在于，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括有衬底层2、扩散层3、P体区以及N体区，其中单个所述MOS元胞的中间处蚀刻成型有沟槽，且沟槽的内部嵌设有栅极5；所述MOS元胞结构的底层表面欧姆连接有漏极1，其漏极1与衬底层2欧姆短接；所述MOS元胞结构的顶层表面欧姆连接有金属源极4，其金属源极4与P体区、N体区均欧姆短接；所述N体区包括轻掺杂N阱层一10、轻掺杂N阱层二11以及重掺杂N阱层一12；单个所述MOS元胞中衬底层2呈中间凸起两侧低洼，其中衬底层2的内部中间凸起处蚀刻有三个矩形槽，三个所述矩形槽的内部均嵌设有抑制P阱层6，其抑制P阱层6与漏极1欧姆接触；所述扩散层3的内部离子注入低浓度磷离子以形成掺杂N阱层二14，其中掺杂N阱层二14位于栅极5正下方。
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权利要求：
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