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申请/专利权人：沈阳和研科技股份有限公司
摘要：本发明涉及集成电路封装体芯片管脚检测技术领域，特别是涉及一种集成电路封装体芯片管脚检测方法及其应用，通过预先对标准集成电路封装体芯片散热片和管脚的位置关系进行学习，然后确定每个待测管脚的边缘点，通过若干个待测管脚边缘点进行拟合确定待测集成电路封装体芯片的边缘，提高集成电路封装体芯片管脚的检测精度，同时利用封装体芯片散热片和管脚的位置关系可以通过管脚中心点区域生长，预定义的管脚个数作为种子点个数，当出现管脚连通的情况下也可以从两个管脚之间断开，不会影响管脚数量检测，应用于模拟集成电路封装体芯片、数字集成电路封装体芯片和数模混合集成电路封装体芯片。
主权项：1.一种集成电路封装体芯片管脚检测方法，包括待测集成电路封装体芯片，待测集成电路封装体芯片上设有待测散热片和待测管脚，还包括标准集成电路封装体芯片，标准集成电路封装体芯片上设有标准散热片和标准管脚，其特征在于：包括以下步骤：S1、标准散热片与管脚位置关系学习，通过OpenCV对所述标准集成电路封装体芯片进行模板匹配定位，找到若干个标准散热片几何中心点M和第一标准管脚几何中心点N1，进而学习标准散热片几何中心点M与第一标准管脚几何中心点N1的位置关系；S2、确定待测管脚边缘点，通过标准散热片几何中心点M与第一标准管脚几何中心点N1的位置关系并利用卡尺测量得到若干个管脚边缘点P；S3、拟合边缘线，采用ransac拟合将所述待测散热片四周的若干个所述管脚边缘点P进行拟合，得到若干条待测管脚边缘线L；S4、截取图像，对每个所述待测散热片四周的待测管脚边缘线L进行图像截取，并对所述待测集成电路封装体芯片进行二值化，得到若干个单个待测集成电路封装体芯片图像；S5、区域生长，在所述单个待测集成电路封装体芯片图像上以第二标准管脚几何中心点N2作为种子点进行区域生长，得到待测管脚区域；S6、待测管脚区域检测，通过OpenCV计算待测管脚区域的最小外接矩形，判定待测管脚区域是否合格;S7、芯片本体区域检测，检测待测集成电路封装体芯片是否存在瑕疵区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沈阳和研科技股份有限公司 一种集成电路封装体芯片管脚检测方法及其应用
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