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申请/专利权人：上海应用技术大学
摘要：本发明公开了一种梯度浓度高熔点倍半氧化物晶体生长方法，该方法包括：构建氧化物晶体生长装置；获取原料粉体并进行预加工处理，制备具有不同浓度的氧化物原材料，所述氧化物原材料为具有不同浓度的若干圆饼块体或是具有不同浓度的料棒块体；通过壳熔法对氧化物晶体生长装置进行加热，并基于提拉法对具有不同浓度的氧化物原材料进行定向籽晶晶体生长，得到具有梯度浓度的高熔点倍半氧化物晶体。通过使用本发明，能够对晶体的生长过程中的组分与浓度进行调节，实现高效的高熔点倍半氧化物晶体生长。本发明作为一种梯度浓度高熔点倍半氧化物晶体生长方法，可广泛应用于晶体材料生长技术领域。
主权项：1.一种梯度浓度高熔点倍半氧化物晶体生长方法，其特征在于，包括以下步骤：构建氧化物晶体生长装置；获取原料粉体并进行预加工处理，制备具有不同浓度的氧化物原材料，所述氧化物原材料为具有不同浓度的若干圆饼块体或是具有不同浓度的料棒块体；通过壳熔法对氧化物晶体生长装置进行加热，并基于提拉法对具有不同浓度的氧化物原材料进行定向籽晶晶体生长，得到具有梯度浓度的高熔点倍半氧化物晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海应用技术大学 一种梯度浓度高熔点倍半氧化物晶体生长方法
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