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申请/专利权人：南昌航空大学
摘要：本发明公开了一种碳化硅基功率MOSFET的单粒子烧毁电路模型构建方法和装置，包括：步骤1、采用先进的低电压模型BSIM3v3表征SiC功率MOSFET内核；步骤2、将非线性栅‑漏电容Cgd的电流作为非线性栅‑漏电容Cgd微分环节和随电压非线性变化的函数fV的乘积；用非线性结电容CJ定义体二极管Dbody的动态特性，体二极管Dbody的动态特性模型中的非线性结电容CJ可以被模拟为非线性漏‑源电容Cds等效模型；步骤3、基于Gummel‑Poon模型表征SiC功率MOSFET寄生双极结型晶体管模型，利用SilvacoUTMOST工具参数提取方法；步骤4、在寄生双极结型晶体管上增加了一个控制电流源G1，用于模拟SiC功率MOSFET被重离子入射所产生的瞬时电流，采用本发明的技术方案，可对SiC功率MOSFET中非线性元器件的等效电路精确描述。
主权项：1.一种碳化硅基功率MOSFET的单粒子烧毁电路模型构建方法，其特征在于：所述构建方法包括以下步骤：步骤1、采用先进的低电压模型BSIM3v3表征SiC功率MOSFET内核；步骤2、将非线性栅-漏电容Cgd的电流作为非线性栅-漏电容Cgd微分环节和随电压非线性变化的函数fV的乘积；其中，非线性栅-漏电容Cgd微分环节可以通过普通线性电容C0实现，随电压非线性变化的函数fV可以通过电压控制电流源实现；采用电压控制电流源GD与内部寄生电阻Rs定义体二极管Dbody的静态特性，用非线性结电容CJ定义体二极管Dbody的动态特性；体二极管Dbody的动态特性模型中的非线性结电容CJ可以被模拟为非线性漏-源电容Cds等效模型；步骤3、在基于Gummel-Poon模型的基础上研究了SiC功率MOSFET的寄生晶体管等效电路模型，并利用SilvacoUTMOST工具提取模型中相关参数；步骤4、在寄生双极结型晶体管上增加了一个控制电流源G1，用于模拟SiC功率MOSFET被重离子入射所产生的瞬时电流，其中，控制电流源G1采用一个双-双指数电流源方程进行描述；步骤5、模型参数提取。
全文数据：
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百度查询： 南昌航空大学 碳化硅基功率MOSFET的单粒子烧毁电路模型构建方法和装置
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