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申请/专利权人：唐合科技(内蒙古)股份有限公司
摘要：本实用新型公开了一种双石墨电极合成无色金刚石大单晶腔体装置，包括叶腊石块、叶腊石环、铜杯、铜片、石墨杯a、白云石填芯、白云石环、氧化铝环a、石墨杯b、氧化铝环b、氧化铝填芯、石墨片一、陶瓷片、除氮片、碳源、触媒、氧化镁管、石墨管、绝缘管、晶床、石墨片二。将现有的钢帽材质换成石墨杯a，使用石墨杯a作为加热电极，提升了合成电阻，降低了功耗；石墨杯b作为二级加热石墨电极相比于石墨杯a外径尺寸变大，避免局部过热，使用石墨加热杯两次加热提升电阻；石墨片一、石墨片二同时调整温差控制生长速度；陶瓷片避免白云石过烧，保证电阻稳定。铜杯、铜片均匀顶锤温度，增加白云石环成型密度使用量提升保温性，降低功耗。
主权项：1.一种双石墨电极合成无色金刚石大单晶腔体装置，其特征在于，包括：叶腊石块，其中部设有贯通其上下表面的通孔；两个叶腊石环，叶腊石环一置于叶腊石块中部通孔上端，叶腊石环二置于叶腊石块中部通孔下端；两个铜杯，铜杯一置于叶腊石环一中，铜杯二置于叶腊石环二中；两个铜片，铜片一置于铜杯一中，铜片二置于铜杯二中；两个白云石环，白云石环一置于铜杯一中，白云石环二置于铜杯二中；两个氧化铝环a，氧化铝环a一置于白云石环一下端，氧化铝环a二置于白云石环二上端；两个石墨杯a，石墨杯a一置于铜杯一中，石墨杯a二置于铜杯二中；氧化镁管，置于叶腊石块通孔中，且位于氧化铝环一和氧化铝环二之间；两个氧化铝环b，均置于氧化镁管中，氧化铝环b一置于氧化铝环a一下端，氧化铝环b二置于氧化铝环a二上端；两个石墨杯b，石墨杯b一置于氧化铝环b一中且位于石墨杯a一下端，石墨杯b二置于氧化铝环b二中且位于石墨杯a一上端；两个石墨片，石墨片一置于石墨杯b一下端，石墨片二置于石墨杯b二上端；石墨管，置于氧化镁管中，且位于石墨片一和石墨片二之间；绝缘管，置于石墨管中；陶瓷片、除氮片、碳源、触媒、晶床，均置于绝缘管中，且位于石墨片一和石墨片二之间。
全文数据：
权利要求：
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