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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种抑制由潜泄电流导致的写入精度的劣化的纵横式数组装置及其写入方法。本发明的突触数组装置具有电阻变化型存储元件连接而成的纵横式数组、列选择驱动电路、行选择驱动电路、以及对所选择的电阻变化型存储元件进行写入的写入单元。写入单元于施加写入电压之前，测定对所选择的列线施加写入电压时产生的潜泄电流，然后，施加具有所测定的潜泄电流与为了进行写入动作而生成的电流的总和的写入电压，藉此向所选择的电阻变化型存储元件进行写入。
主权项：1.一种纵横式数组的写入方法，向使用了电阻变化型存储元件的纵横式数组进行写入，所述写入方法包括：测定对纵横式数组的所选择的电阻变化型存储元件施加写入电压时产生的潜泄电流的步骤；对潜泄电流的测定结果予以保持的步骤；以及对所述所选择的电阻变化型存储元件施加写入电流的步骤，所述写入电流是将根据所保持的测定结果而再生的潜泄电流与为了进行写入而设定的写入电流合计而成，所述保持的步骤通过测定及再生电路来将流经写入电压源的潜泄电流作为静电电容保持于电容器中，所述施加的步骤通过所述测定及再生电路来根据保持于所述电容器中的静电电容再生潜泄电流，所述测定及再生电路包括：金属氧化物半导体晶体管，连接于所述写入电压源；以及所述电容器，连接于所述金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述写入电压源之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 纵横式数组装置及其写入方法
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