龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法，二极管包括：金刚石衬底层、SiC外延层、AlN成核层、AIGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层、阳极和阴极；金刚石衬底层、外延层、AlN成核层、AIGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层依次层叠；AlN成核层、AIGaN缓冲层、GaN沟道层的厚度均为纳米级，且AlN成核层和AIGaN缓冲层的厚度之和为纳米级；阳极位于AlGaN势垒层的表面，且与AlGaN势垒层之间形成肖特基势垒；阴极位于AlGaN势垒层的表面，且与阳极相距一定距离，阴极与AlGaN势垒层之间形成欧姆接触；钝化层位于阳极和阴极之间的AlGaN势垒层表面，且钝化层的侧面与阳极的侧面、阴极的侧面均接触。本实施例实现了高击穿电压、高耐热功率的金刚石基氮化镓肖特基势垒二极管。
主权项：1.一种金刚石基氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：金刚石衬底层1、SiC外延层2、AlN成核层3、AIGaN缓冲层4、GaN沟道层5、AlGaN势垒层6、钝化层7、阳极8和阴极9，其中，所述金刚石衬底层1、所述外延层2、所述AlN成核层3、所述AIGaN缓冲层4、所述GaN沟道层5、所述AlGaN势垒层6依次层叠；所述AlN成核层3、所述AIGaN缓冲层4、所述GaN沟道层5的厚度均为纳米级，且所述AlN成核层3和所述AIGaN缓冲层4的厚度之和为纳米级；所述阳极8位于所述AlGaN势垒层6的表面，且与所述AlGaN势垒层6之间形成肖特基势垒；所述阴极9位于所述AlGaN势垒层6的表面，且与所述阳极8相距一定距离，所述阴极9与所述AlGaN势垒层6之间形成欧姆接触；所述钝化层7位于所述阳极8和所述阴极9之间的所述AlGaN势垒层6表面，且所述钝化层7的侧面与所述阳极8的侧面、所述阴极9的侧面均接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种金刚石基氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号