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申请/专利权人：苏州芯合半导体材料有限公司
摘要：本发明属于ZTA陶瓷技术领域，具体涉及一种渗碳ZTA陶瓷材料的制备方法。该方法包括：1）ZTA陶瓷胚件的制备；2）渗碳热处理；3）热等静压处理。与现有技术相比，本发明的技术优点在于：本发明的渗碳ZTA陶瓷材料，是经过1200℃预烧的产品，保留了孔隙率并且给予了胚件一定的强度。本发明是碳原子在预烧的陶瓷中的迁移来实现碳原子的渗入，一部分作用在氧化锆晶格中，对氧化锆的高温相起到稳定的作用，使其稳定的四方相可以更好地保留到室温，避免向单斜相转化，增加其体积变化，进而避免陶瓷中裂纹等缺陷的生成。而另一部分则停留在陶瓷颗粒的晶界处，可以避免陶瓷裂纹扩展等异常现象的产生。
主权项：1.一种渗碳ZTA陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括制备步骤如下：1）ZTA陶瓷胚件的制备粉末混合：采用声共振技术将氧化铝粉、钇稳定氧化锆粉、分散剂与水混合均匀，得到混合浆料；所述声共振技术，其加速度为80G，混合时间为10～15min，使用粒径为0.3～1.4mm的氧化锆球作为辅助混合介质；粉末造粒：将分散后的混合浆料采用筛网进行过滤，然后依次加入粘结剂和脱模剂，通过造粒塔进行造粒；干压成型：制得的造粒粉体经干压成型，制得陶瓷素坯；预烧：将陶瓷素坯放入马弗炉中预烧，制得ZTA陶瓷胚件；2）渗碳热处理在氧化铝坩埚底部铺上一层石墨，然后将步骤1）预烧后的ZTA陶瓷胚件放在垫好石墨的坩埚中，然后再放入另一层石墨盖住ZTA陶瓷胚件，盖上坩埚盖，放入炉子中进行热处理，制得ZTA陶瓷件；所述热处理，其烧结温度为1450～1550℃，保温时间为4h～6h，升温速率为2～18℃min；3）热等静压处理将步骤2）渗碳完成后的ZTA陶瓷件进行超声清洗，干燥后放入Hip烧结炉中，进行热等静压处理；其中，按重量份数计，所述氧化铝粉70～96份，钇稳定氧化锆粉4～30份，分散剂1～10份，氧化铝粉和钇稳定氧化锆粉的重量之和与水的质量比为1：（1～2）；粘结剂2～3份、脱模剂0.5～1份；所述分散剂为聚丙烯酸铵、或聚甲基丙烯酸铵，所述粘结剂为丙烯酸铵或丙烯酸铵盐，所述脱模剂为植物油。
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权利要求：
百度查询： 苏州芯合半导体材料有限公司 一种渗碳ZTA陶瓷材料的制备方法
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