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申请/专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为一种高可靠性的ZTA陶瓷覆铜基板的制备方法。本发明通过在ZTA陶瓷表面溅射一层铜金属层后经氧化处理形成氧化亚铜膜层，磁控溅射沉积的铜金属层与陶瓷结合致密且牢固，因此由其氧化而成的氧化亚铜膜层比直接氧化压延的铜箔生成的氧化亚铜膜层更加均匀、致密。在陶瓷与铜箔的钎焊过程中，铜箔与ZTA陶瓷表面的氧化亚铜膜层接触后发生共晶反应，生成Cu‑Cu2O共晶液，共晶液中的液态氧化亚铜与ZTA陶瓷反应，生成偏铝酸铜，使铜箔与ZTA陶瓷紧密结合。ZTA陶瓷与铜箔的钎焊结合层更加均匀致密，结合强度更高，因此本发明制备的ZTA陶瓷覆铜基板具有更高的可靠性。
主权项：1.一种高可靠性的ZTA陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：所述ZTA陶瓷覆铜基板自上而下为上铜箔层1、ZTA陶瓷与上铜箔钎焊结合层4、ZTA陶瓷层3、ZTA陶瓷与下铜箔钎焊结合层5、下铜箔层2。
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