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申请/专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司

摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体为一种高可靠性的ZTA陶瓷覆铜基板的制备方法。本发明通过在ZTA陶瓷表面溅射一层铜金属层后经氧化处理形成氧化亚铜膜层，磁控溅射沉积的铜金属层与陶瓷结合致密且牢固，因此由其氧化而成的氧化亚铜膜层比直接氧化压延的铜箔生成的氧化亚铜膜层更加均匀、致密。在陶瓷与铜箔的钎焊过程中，铜箔与ZTA陶瓷表面的氧化亚铜膜层接触后发生共晶反应，生成Cu‑Cu2O共晶液，共晶液中的液态氧化亚铜与ZTA陶瓷反应，生成偏铝酸铜，使铜箔与ZTA陶瓷紧密结合。ZTA陶瓷与铜箔的钎焊结合层更加均匀致密，结合强度更高，因此本发明制备的ZTA陶瓷覆铜基板具有更高的可靠性。

主权项：1.一种高可靠性的ZTA陶瓷覆铜基板的制备方法，其特征在于：所述ZTA陶瓷覆铜基板自上而下为上铜箔层1、ZTA陶瓷与上铜箔钎焊结合层4、ZTA陶瓷层3、ZTA陶瓷与下铜箔钎焊结合层5、下铜箔层2；所述陶瓷覆铜基板的制备方法为，包括以下步骤：步骤一：先对ZTA陶瓷表面进行离子轰击清洗，然后采用磁控溅射工艺在ZTA陶瓷表面溅射底层铜金属层，然后加厚铜金属层；步骤二：对ZTA陶瓷表面的铜金属层进行氧化处理；步骤三：将含有氧化亚铜膜层的ZTA陶瓷与铜箔表面贴合叠片，烧结，使ZTA陶瓷与铜箔钎焊结合，得到ZTA陶瓷覆铜基板母版；步骤四：对ZTA陶瓷覆铜基板母版进行贴膜、曝光、显影、蚀刻、激光切割、掰片，得到陶瓷覆铜基板；步骤二中，在氧化处理后的ZTA陶瓷上涂覆了树脂粘结剂，树脂粘结剂的制备方法为：包括以下步骤：S1：取丙烯酸树脂、碘化亚铜、乙酰丙酮,升温至40-45℃搅拌1-2h，加入二乙烯三胺,滴加碳酸钾，搅拌均匀，冷凝回流，在80-85℃下反应7-10h，洗涤、过滤、干燥，得到胺化丙烯酸树脂；S2：取胺化丙烯酸树脂、负载铁的羟基磷灰石，搅拌均匀，得到树脂粘结剂；所述负载铁的羟基磷灰石的制备方法为：取去离子水、醋酸亚铁，搅拌均匀，加入一水合氨，调节pH至7，加入羟基磷灰石，搅拌均匀，加入碳纳米管，超声分散，加入硼氢化钠、聚乙烯吡咯烷酮，搅拌6-8h，沉淀、洗涤、离心、干燥，得到负载铁的羟基磷灰石；羟基磷灰石的粒径为10-30nm。

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