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申请/专利权人：上海矽睿科技股份有限公司
摘要：本发明涉及一种传感器芯片的后期固化方法。该传感器芯片的后期固化方法包括如下步骤：调节后期固化工艺炉内的温度至固化温度，固化温度为200℃～220℃；将传感器芯片保持于固化温度为200℃～220℃的后期固化工艺炉内2h～6h；将传感器芯片从后期固化工艺炉内取出。该传感器芯片的后期固化方法能更好的释放封装应力。
主权项：1.一种传感器芯片的后期固化方法，其特征在于，包括如下步骤：调节后期固化工艺炉内的温度至固化温度，固化温度为200℃～220℃；将传感器芯片保持于固化温度为200℃～220℃的后期固化工艺炉内2h～6h；以及将传感器芯片从后期固化工艺炉内取出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海矽睿科技股份有限公司 传感器芯片的后期固化方法
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