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申请/专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
摘要：本发明公开了一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaNHEMT器件及其制备方法，该器件自下而上包括依次叠加设置的衬底层、III‑N复合缓冲层、GaN沟道层、III‑N势垒层；III‑N势垒层上设有源电极、漏电极以及自其表面向内部延伸的凹槽，凹槽内覆盖有栅电极；GaN沟道层和III‑N势垒层形成异质结，GaN沟道层和III‑N势垒层形成的异质结界面且靠近GaN沟道层的一侧形成二维电子气沟道；源电极和漏电极均与二维电子气沟道形成欧姆接触，栅电极与二维电子气沟道形成肖特基接触；本发明通过采用槽栅结构，增大栅极与沟道的接触面积，增强栅极对二维电子气沟通的控制能力；通过采用数字刻蚀工艺成功制得表面平整度好的凹槽结构，实现对刻蚀深度的有效调控，避免刻蚀损伤，最终提高器件的稳定性。
主权项：1.一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaNHEMT器件，其特征在于：该器件自下而上包括依次叠加设置的衬底层1、III-N复合缓冲层2、GaN沟道层3、III-N势垒层4；所述衬底层1和III-N复合缓冲层2水平对齐设置，GaN沟道层3和III-N势垒层4水平对齐设置，III-N复合缓冲层2与GaN沟道层3呈阶梯结构设置；所述III-N势垒层4表面两端设置有源电极5和漏电极7，III-N势垒层4中间设置有自其表面向内部延伸的凹槽，凹槽内覆盖有栅电极6；所述GaN沟道层3和III-N势垒层4形成异质结，GaN沟道层3和III-N势垒层4形成的异质结界面且靠近GaN沟道层3的一侧形成二维电子气沟道；所述源电极5和漏电极7均与二维电子气沟道形成欧姆接触，栅电极6与二维电子气沟道形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 西安电子科技大学广州研究院 一种数字刻蚀凹槽栅增强型GaN HEMT器件及其制备方法
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