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申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司
摘要：本发明涉及一种用于形成一个围绕至少一个槽口14的多层结构的方法，具有如下步骤：在后续的多层结构的第一半导体层12中结构化多个凹陷10，所述凹陷10在所述第一半导体层12中形成包括多个凹陷10的连续的槽口14，借助所述凹陷10从所述第一半导体层12结构化出的壁结构16伸入所述槽口14中，至少在部分面积是覆盖所述槽口14，其方式上，由至少一种与所述第一半导体层12相同的材料形成至少一个第二半导体层18，通过至少一个介质供给开口20将介质导入在所述至少一个槽口14中，该介质与伸入的壁结构16化学反应。
主权项：1.用于形成围绕至少一个槽口14，14a，14b，42a，42b的多层结构28的方法，具有如下步骤：从后续的多层结构28的第一半导体层12的第一表面12a开始向该第一半导体层12中结构化多个第一凹陷10，使得所述第一凹陷10在所述第一半导体层中12形成至少一个包括多个第一凹陷10的、连续的第一槽口14，14a，14b，借助第一凹陷10从所述第一半导体层14，14a，14b结构化出第一壁结构16伸入所述第一槽口中；在第一半导体层12的第一表面12a上至少在部分面积上覆盖所述至少一个第一槽口14，14a，14b，其方式是，由至少一种与所述第一半导体层12相同的材料形成至少一个第二半导体层18，其中，对于所述至少一个第一槽口14，14a，14b形成至少一个第一介质供给开口20，所述第一介质供给开口至少穿过所述第二半导体层18延伸并且通到对应的第一槽口14，14a，14b处；并且通过所述至少一个第一介质供给开口20向所述至少一个第一槽口14，14a，14b中导入介质，该介质与伸入的所述壁结构16化学反应；并且
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百度查询： 罗伯特·博世有限公司 用于形成围绕至少一个槽口的多层结构的方法和具有多层结构的装置
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