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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请提供一种背接触太阳能电池和制备方法。该太阳能电池包括：具有相对正面和背面的硅衬底，硅衬底为第一掺杂类型；以及设置于硅衬底背面的第一发射极、第一隔离区、第二隔离区和第二发射极，第一隔离区和第二隔离区沿第一方向设置于第一发射极和第二发射极之间，第一发射极为第二掺杂类型，第一隔离区和第二发射极为第一掺杂类型，其中，第一方向与硅衬底的厚度方向相交。本申请的太阳能电池和制备方法通过在第一发射极和第二发射极之间设置第一隔离区和第二隔离区解决了太阳能电池反向漏电超标和无法通过热斑测试的问题。
主权项：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：具有相对正面和背面的硅衬底，所述硅衬底为第一掺杂类型；以及设置于所述硅衬底背面的第一发射极、第一隔离区、第二隔离区和第二发射极，所述第一隔离区和所述第二隔离区沿第一方向设置于所述第一发射极和所述第二发射极之间，所述第一发射极为第二掺杂类型，所述第一隔离区和所述第二发射极为第一掺杂类型，第一部分的所述第二隔离区为所述第一掺杂类型，第二部分的所述第二隔离区为所述第二掺杂类型，所述第一部分与所述第二部分在所述第一方向上相接，其中，所述第一方向与所述硅衬底的厚度方向相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 背接触太阳能电池和制备方法
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