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申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
摘要：本发明公开了一种抗静电外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第二半导体层包括P型AlGaN层、P型GaN层和高静电层，所述P型GaN层设置在P型AlGaN层上，所述高静电层插入在P型GaN层中；所述高静电层包括无掺杂GaN层和或低掺杂GaN层，所述无掺杂GaN层由掺杂浓度为零的GaN制成，所述低掺杂GaN层由掺杂了Mg或Zn的GaN制成，掺杂浓度为a；所述P型GaN层由掺杂了Mg或Zn的GaN制成，掺杂浓度为b，a＜b。本发明在P型GaN层中插入高静电层，有效提高外延结构的抗静电能力。
主权项：1.一种抗静电外延结构，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，其特征在于，所述第二半导体层包括P型AlGaN层、P型GaN层和高静电层，所述P型GaN层设置在P型AlGaN层上，所述高静电层插入在P型GaN层中；所述高静电层包括无掺杂GaN层和低掺杂GaN层，所述无掺杂GaN层由掺杂浓度为零的GaN制成，所述低掺杂GaN层由掺杂了Mg或Zn的GaN制成，掺杂浓度为a；所述P型GaN层由掺杂了Mg或Zn的GaN制成，掺杂浓度为b，a＜b；所述高静电层的厚度为P型GaN层的厚度的40%~50%，所述高静电层的厚度为20~100nm；所述高静电层将P型GaN层分为第一P型GaN层和第二P型GaN层，其中，第一P型GaN层的掺杂浓度为b1，第二P型GaN层的掺杂浓度为b2，b1≥b2；所述第二半导体层包括P型AlGaN层，以及3~8个循环周期的第一P型GaN层、无掺杂GaN层、低掺杂GaN层和第二P型GaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 一种抗静电外延结构及其制备方法
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