龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州先拓电子科技有限公司
摘要：本发明涉及芯片钝化技术领域，具体涉及一种复合钝化膜的形成方法及包含该钝化膜的芯片。包括以下步骤：半导体晶片表面的预处理；ZnS钝化膜的磁控溅射及等离子处理；六氟化硫气氛辅助钝化晶片退火。本发明通过对镀膜晶片表面进行H2S和氮气的混合气体等离子体处理，H2S和氮气的混合气体等离子体产生的H2S团簇离子提供了丰富的S离子，在ZnS薄膜中的S空位处填充了S离子，钝化了S悬挂键，从而减少了薄膜的缺陷和应力，提高了ZnS薄膜的结晶度，增强薄膜的稳定性和均匀致密性，并且H离子能够调整薄膜表面的电荷分布，进一步促进S离子的填充和钝化效果，避免了钝化膜出现微裂纹、微缺陷、膜层脱的问题，提高了芯片的可靠性。
主权项：1.一种复合钝化膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：半导体晶片表面的预处理将GaN半导体晶片依次浸入丙酮溶液、异丙醇溶液和HF溶液中进行超声清洗，每次超声清洗后均用去离子水进行冲洗，氮气吹干后得到清洁晶片，将清洁晶片置于密闭蒸汽加热反应釜中，通过恒温加热台加热α-蒎烯在蒸汽加热反应釜内进行蒸发，待α-蒎烯全部蒸发后保持釜内温度，得到表面预处理晶片，取出表面预处理晶片置于氮气气流下冷却，随后立即转移至磁控溅射仪的溅射腔室中准备进行磁控溅射；S2：ZnS钝化膜的磁控溅射及等离子处理将ZnS靶材安装于磁控溅射仪的靶位上，磁控溅射仪的溅射腔室中安装有表面预处理晶片，通入Ar气，在表面预处理晶片表面镀上ZnS钝化膜，得到镀膜晶片，然后由通入Ar气变更为通入H2S和氮气的混合气体，调节工作气压和H2S和氮气的混合气体气流量，启动磁控溅射仪对镀膜晶片表面进行H2S和氮气的混合气体等离子体处理，得到钝化晶片；S3：六氟化硫气氛辅助钝化晶片退火将钝化晶片置于退火炉，先利用氮气排气，然后通入六氟化硫气体，控制六氟化硫气体流量，缓慢升温后保持温度和气体流速进行退火，得到退火晶片，在退火完成后停止六氟化硫气体供应，用氮气排气，排放炉内的残余气体并确保废气经过排气净化系统，然后取出退火晶片并于干燥环境下进行保存。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州先拓电子科技有限公司 一种复合钝化膜的形成方法及包含该钝化膜的芯片
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号