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申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开提供了一种外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法。所述方法包括：在外延片表面形成粗化开口，所述粗化开口包括沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘排布的多排图形化开口，且每排所述图形化开口中，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述图形化开口尺寸逐渐增大；将所述外延片放入粗化溶液中；控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，直到粗化完成。
主权项：1.一种外延粗化方法，其特征在于，所述方法包括：在外延片表面形成粗化开口，所述粗化开口包括沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘排布的多排图形化开口，且每排所述图形化开口中，沿着所述外延片的中心到所述外延片的边缘的方向，所述图形化开口尺寸逐渐增大；将所述外延片放入粗化溶液中；控制所述外延片交替进行顺时针和逆时针旋转，直到粗化完成。
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百度查询： 京东方华灿光电(苏州)有限公司 外延粗化方法、发光二极管及发光二极管制备方法
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