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申请/专利权人：吉林华微电子股份有限公司
摘要：本申请公开了一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法，涉及肖特基二极管技术领域，用于解决相关技术中沟槽肖特基二极管在产品反向偏压过程中容易提前发生雪崩击穿，从而容易降低终端效率的问题。该肖特基二极管包括终端区域，肖特基二极管包括衬底和外延层，外延层包括外延本体部以及位于外延本体部远离衬底一侧的保护部，保护部位于终端区域，保护部用于防止位于终端区域的外延本体部被刻蚀。本申请可以对位于终端区域的外延本体部进行保护，从而可以避免过载效应导致终端沟槽刻蚀过深影响产品电压，使产品不容易在反向偏压过程中提前发生雪崩击穿，从而可以提高产品的终端效率。
主权项：1.一种沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括终端区域，所述肖特基二极管包括：衬底；外延层，所述外延层包括外延本体部以及位于所述外延本体部远离所述衬底一侧的保护部，所述保护部位于所述终端区域，所述保护部用于防止位于所述终端区域的外延本体部被刻蚀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林华微电子股份有限公司 一种沟槽肖特基二极管及沟槽肖特基二极管的制作方法
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