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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种包含接合到第二集成电路管芯的第一集成电路管芯的三维集成电路IC堆叠。第一集成电路管芯包含第一半导体衬底、配置在第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在第一内连线结构上方的第一接合结构。第二集成电路管芯包含第二半导体衬底、配置在第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构。第一接合结构面向第二接合结构。另外，三维集成电路堆叠包含从第二接合结构延伸到第二半导体衬底的背侧且热耦合到第一内连线结构或第二内连线结构中的至少一个的第一背侧接触件。
主权项：1.一种三维集成电路堆叠包括：第一集成电路管芯，包括第一半导体衬底、配置在所述第一半导体衬底的前侧上的第一内连线结构以及配置在所述第一内连线结构上方的第一接合结构；第二集成电路管芯，包括第二半导体衬底、配置在所述第二半导体衬底的前侧上的第二内连线结构以及配置在所述第二半导体衬底的背侧上的第二接合结构，其中所述第二接合结构面向所述第一接合结构；第一背侧接触件，从所述第二接合结构延伸到所述第二半导体衬底的所述背侧，且热耦合到所述第一内连线结构或所述第二内连线结构中的至少一个；以及衬底穿孔，从所述第二半导体衬底的所述背侧延伸穿过所述第二半导体衬底到所述第二半导体衬底的所述前侧，其中所述衬底穿孔与所述第一背侧接触件横向间隔开，且其中所述衬底穿孔并不电耦合到所述第一背侧接触件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路管芯、三维集成电路堆叠及形成集成电路的方法
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