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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：描述了具有背侧栅极连接的集成电路结构。在示例中，集成电路结构包括鳍或多个水平堆叠的纳米线。栅极堆叠体在鳍或多个水平堆叠的纳米线之上。外延源极或漏极结构在鳍或多个水平堆叠的纳米线的端部处。导电栅极到接触部连接垂直位于外延源极或漏极结构之下并且垂直位于栅极堆叠体之下并与栅极堆叠体电接触。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：多个水平堆叠的纳米线；栅极堆叠体，在所述多个水平堆叠的纳米线之上；外延源极或漏极结构，在所述多个水平堆叠的纳米线的端部处；以及导电栅极到接触部连接，垂直位于所述外延源极或漏极结构之下并且垂直位于所述栅极堆叠体之下并与所述栅极堆叠体电接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 具有背侧栅极连接的集成电路结构
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