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申请/专利权人：上海瑞华晟新材料有限公司
摘要：本发明涉及一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法，其包括提供SiC纤维预制体；将SiC纤维预制体放入管式炉反应室，抽真空后通惰性气体作为载气；关闭载气，向反应室内通入BCl3使其裂解释放出B，向反应室内通入H2刻蚀SiC纤维预制体表面提供Si原子空位，在1KPa~3KPa下反应，B填充Si原子空位原位生长B4C，BCl3和H2的流量比为1：（1~2）；稳定化处理得到带有B4C涂层的SiC纤维，B4C涂层与SiC纤维之间的结合强度介于50MPa~75MPa之间。根据本发明的在SiC纤维上原位生长B4C的方法，在SiC纤维表面原位生长均匀的B4C界面，纤维内部残余碳含量下降且提高结合强度。
主权项：1.一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1，提供SiC纤维预制体；S2，将SiC纤维预制体放入管式炉反应室，抽真空后通惰性气体作为载气，反应室内压力为2KPa~4KPa，升温至1100℃~1200℃并保温0.5h~1h；S3，关闭载气，向反应室内通入BCl3使其裂解释放出B，向反应室内通入H2刻蚀SiC纤维预制体表面提供Si原子空位，在1KPa~3KPa下反应，B填充Si原子空位原位生长B4C，其中，BCl3和H2的流量比为1：（1~2）；以及S4，反应结束后的纤维预制体在1100℃~1300℃下稳定化处理10min~30min，得到带有B4C涂层的SiC纤维，B4C涂层与SiC纤维之间的结合强度介于50MPa~75MPa之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海瑞华晟新材料有限公司 一种在SiC纤维上原位生长B4C的方法
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