龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构，包括若干个相互并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞包括金属源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其中栅极的表面沉积有栅氧化层；所述半导体外延层包括衬底层、扩散层、P阱区以及N阱区；所述扩散层与栅极之间通过离子注入形成抑源N阱层；所述P阱区包括高掺杂P阱层一、低掺杂P阱层一和高掺杂P阱层二。本发明将N阱层划分为靠近栅极位置处的轻掺杂N阱和远离栅极的重掺杂N阱，这样在器件开启时，电流通过沟道进入N阱层之后，主要通过重掺杂N阱流入源极，可以减少电荷向栅极靠拢及留置，从而降低该MOS半导体的寄生电荷，降低电阻率。
主权项：1.一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构，其特征在于，包括若干个相互并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞包括金属源极4、漏极1、栅极5以及半导体外延层，其中栅极5的表面沉积有栅氧化层10；所述半导体外延层包括衬底层2、扩散层3、P阱区以及N阱区；所述扩散层3与栅极5之间通过离子注入形成抑源N阱层14；所述P阱区包括高掺杂P阱层一6、低掺杂P阱层一7和高掺杂P阱层二8，所述高掺杂P阱层一6位于MOS元胞的两侧，并且相邻MOS元胞之间的高掺杂P阱层一6共为一体；所述扩散层3内靠近抑源N阱层14位置处形成JFET区，在所述栅极5施加正向的电压时，其栅极5和衬底层2之间形成反向耗尽层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号