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申请/专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
摘要：本申请提供一种背接触电池及其制备方法，所述背接触电池包括硅基底、设置在所述硅基底背面的金属电极，所述硅基底具有相邻的第一区域与第二区域，所述第一区域的背面形成有第一掺杂层；所述第二区域的背面朝内凹陷形成沟槽，所述沟槽的底部形成有第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述沟槽的侧壁间隔设置。所述背接触电池的制备方法主要包括先对硅基底的两侧表面同时进行第一次扩散，在所述第一区域的背面形成第一掺杂层；再于第二区域刻蚀形成相应的沟槽，并在所述沟槽内制备掺杂源层，控制所述掺杂源层与沟槽的侧壁间隔设置；进行第二次扩散，形成第二掺杂层。本申请背接触电池及其制备方法能够避免漏电异常，提高载流子收集效率，改善电池性能。
主权项：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于：对硅基底的两侧表面同时进行第一次扩散，所述硅基底具有第一区域与第二区域，所述第一区域包括若干第一条形区，所述第二区域包括若干第二条形区，所述第一条形区与第二条形区依次交替排布；所述第一区域的背面形成第一掺杂层；在所述第一区域的背面制备保护层，并使得所述第二区域的背面向外暴露；刻蚀，使得所述第二区域朝内凹陷形成相应的沟槽，所述第一掺杂层的厚度小于所述沟槽的深度，所述沟槽的蚀刻深度为1～10μm；在所述沟槽内制备掺杂源层，所述掺杂源层的制备包括采用丝网印刷方法将含有既定掺杂元素的浆料印制在所述沟槽内，控制所述掺杂源层与沟槽的侧壁间隔设置，所述掺杂源层与所述沟槽的侧壁的距离设置为5～50μm；对所述硅基底进行第二次扩散，形成与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；依次进行表面清洗、镀膜与金属化；其中，所述沟槽的底部为平面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 背接触电池及其制备方法
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