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申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司
摘要:本发明提供了一种检测预清洁腔室的还原能力的方法,属于半导体清洁领域,具体包括1将具有金属薄层的样品晶圆置于氧化反应腔室中进行氧化,形成覆盖氧化金属的标定晶圆;2测试并记录所述标定晶圆的第一反射率;3将所述标定晶圆在预清洁腔室中进行还原作业;4测试并记录还原后的所述标定晶圆的第二反射率;5根据所述第一反射率和所述第二反射率确定所述预清洁腔室的还原能力。通过本申请的处理方案,可以对RPC腔室的还原性能进行监测。
主权项:1.一种检测预清洁腔室的还原能力的方法,其特征在于,包括:1将具有金属薄层的样品晶圆置于氧化反应腔室中进行氧化,形成覆盖氧化金属的标定晶圆;2测试并记录所述标定晶圆的第一反射率;3将所述标定晶圆在预清洁腔室中进行还原作业;4测试并记录还原后的所述标定晶圆的第二反射率;5根据所述第一反射率和所述第二反射率确定所述预清洁腔室的还原能力。
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权利要求:
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