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申请/专利权人：三峡大学
摘要：基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，基于双极性载流子模型，定义电介质内载流子迁移运输过程，将分子链能量积累过程与电介质内载流子迁移运输过程结合，得到CTMD模型；基于电缆运行过程中缺陷造成的击穿以及电树枝的形成，建立以针电极为正极、地电极为负极的针板电极模型；选取迁移率与扩散系数描述载流子移动运动状态，对分子链的运动进行量化；基于电缆运行实际工况，对绝缘层设置电场梯度和温度梯度；模拟计算电缆在不同温度、不同电压与介电常数下击穿所需时间。本发明考虑极不均匀场强下的击穿特性，贴合实际运行过程，提高仿真准确性。
主权项：1.基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1：基于双极性载流子模型，定义电介质内载流子迁移运输过程，将分子链能量积累过程与电介质内载流子迁移运输过程结合，得到CTMD模型；步骤2：基于电缆运行过程中缺陷造成的击穿以及电树枝的形成，建立以针电极为正极、地电极为负极的针板电极模型；步骤3：选取迁移率与扩散系数描述载流子移动运动状态，对分子链的运动进行量化；步骤4：基于电缆运行实际工况，对绝缘层设置电场梯度和温度梯度；步骤5：模拟计算电缆在不同温度、不同电压与介电常数下击穿所需时间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三峡大学 基于分子链位移的电缆缺陷击穿场强预测计算方法
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