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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
摘要：本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种多工器的制作方法；该方法包括：在衬底上进行IDT镀膜操作；在IDT镀膜后的器件上进行光刻和刻蚀操作；在器件上进行IDT光刻操作，形成IDT图案；根据IDT图案对器件进行IDT刻蚀操作，得到制作完成的IDT结构；基于IDT结构制作完成多工器；本发明可避免多次IDT光刻和镀膜导致的套刻精度和接触电阻问题，减少因多次IDT光刻和镀膜对器件带来的性能恶化影响，有效提升工艺制作成功率及器件性能。
主权项：1.一种多工器的制作方法，其特征在于，包括：S1：在衬底上进行IDT镀膜操作；S2：在IDT镀膜后的器件上进行光刻和刻蚀操作；S3：在步骤S2得到的器件上进行IDT光刻操作，形成IDT图案；S4：根据IDT图案对器件进行IDT刻蚀操作，得到制作完成的IDT结构；S5：基于IDT结构制作完成多工器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种多工器的制作方法
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