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申请/专利权人：瑞士艾发科技
摘要：真空层沉积设备，其包括具有内部空间的真空涂覆室；构建为在所述内部空间中生成待沉积在基材上的材料的带正电粒子的材料源；具有暴露于所述内部空间的延伸的金属或介电材料表面的基材支架；Rf等离子体源，其包括：可电操作性Rf连接或电操作性Rf连接到Rf发生器的第一极耳的第一电极；可电操作性Rf连接或电操作性Rf连接到所述Rf发生器的第二极耳的第二电极；其中所述第一电极包含金属或介电材料的第一电极表面，并且是所述第一电极的整个表面的该部分自由暴露于所述内部空间；其中所述第二电极包含金属或介电材料的第二电极表面，并且是所述第二电极的整个表面的该部分自由暴露于所述内部空间；其中所述基材支架的所述延伸的表面是所述第一电极表面的至少一部分；和其中所述第二电极表面比所述第一电极表面大至少1.5倍。本发明进一步涉及在基材上真空工艺沉积层的方法。
主权项：1.一种真空层沉积设备，其包括：·具有内部空间的真空涂覆室；·材料源，其构建为在所述内部空间中生成待沉积在基材上的材料的带正电粒子；·基材支架，其具有暴露于所述内部空间的延伸的金属或介电材料表面；·RF等离子体源，其包括：-第一电极，其可电操作性Rf连接或电操作性Rf连接到Rf发生器的第一极耳；-第二电极，其可电操作性Rf连接或电操作性Rf连接到所述Rf发生器的第二极耳；其中所述第一电极包括金属或介电材料的第一电极表面，并且是所述第一电极的整个表面的该部分自由暴露于所述内部空间；其中所述第二电极包括金属或介电材料的第二电极表面，并且是所述第二电极的整个表面的该部分自由暴露于所述内部空间；其中所述基材支架的所述延伸的表面是所述第一电极表面的至少一部分；和其中所述第二电极表面比所述第一电极表面大至少1.5倍。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞士艾发科技 真空层沉积设备和在基材上，尤其在待涂覆表面中包含凹痕的基材上沉积层的方法
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