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一种微电子器件用晶圆级封装结构及制造方法 

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申请/专利权人:北京大学

摘要:本申请提供一种微电子器件用晶圆级封装结构及制造方法,属于半导体技术领域,包括:衬底,衬底上形成有多个通孔电极,多个通孔电极包括两个第一电极、两个第二电极和若干第三电极;第一吸气剂,设置在衬底的一侧,第一吸气剂位于两个第一电极之间;器件层,设置在衬底的一侧,器件层包括可动单元和用于支撑可动单元的多个支撑单元;封帽基板,设置在器件层背离衬底的一侧;第二吸气剂,设置在封帽基板朝向衬底的一侧。通过本申请提供的一种微电子器件用晶圆级封装结构及制造方法,可以对器件密封腔体的真空度变化、吸气剂的激活程度以及吸气剂是否正常工作等关键工艺进行监控,形成对晶圆级真空封装工艺质量的量化评价。

主权项:1.一种微电子器件用晶圆级封装结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底上形成有多个通孔电极,多个所述通孔电极包括两个第一电极、两个第二电极和多个第三电极;第一吸气剂,设置在所述衬底的一侧,所述第一吸气剂位于两个所述第一电极之间,且所述第一吸气剂分别与两个所述第一电极电连接;器件层,设置在所述衬底的一侧,所述器件层包括可动单元和用于支撑所述可动单元的多个支撑单元,多个所述支撑单元中的两个子支撑单元分别与两个第二电极电连接;封帽基板,设置在所述器件层背离所述衬底的一侧,所述封帽基板包括多个键合部,所述封帽基板通过所述键合部与所述支撑单元之间的键合与所述器件层连接,多个所述键合部中的两个子键合部分别与两个所述子支撑单元连接;第二吸气剂,设置在所述封帽基板朝向所述衬底的一侧,所述第二吸气剂位于两个所述子键合部之间,且所述第二吸气剂至少部分覆盖两个所述子键合部。

全文数据:

权利要求:

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