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发光二极管中的分区段且量子力学隔离的有源区 

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申请/专利权人:元平台技术有限公司

摘要:描述了LED装置以及用于制造LED装置的相应技术。在一些实施例中,一种LED装置包括多个台面,每个台面对应于单独的LED并且包括分层半导体结构。该分层半导体结构包括有源区和量子势垒QB层。该有源区具有由该QB层量子力学地隔离的量子阱QW单元的矩阵。特别地,该QB层可以包括脊状结构,该脊状结构将相邻的QW单元侧向分开。该QW单元的矩阵可以被布置为二维阵列。在一些实施例中,该QW单元外延生长,使得每个QW单元沿着中心区域较厚并且沿着周边区域较薄,其中,该周边区域对应于该QW单元与该QB层的脊状结构相遇的位置。

主权项:1.一种发光二极管LED装置,所述LED装置包括:多个台面,所述多个台面中的每个台面对应于所述LED装置中的单独的LED,并且包括分层半导体结构,所述分层半导体结构包括:有源区,所述有源区包括量子阱QW单元的二维2D阵列,每个QW单元包括被配置为用作发光区的至少一个量子阱;以及第一量子势垒QB层,所述第一QB层将所述2D阵列的所述QW单元量子力学地彼此隔离,其中,所述第一QB层在所述2D阵列的两个维度上连续。

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权利要求:

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